DRAM今年成長39% 明年估負成長

DRAM 動態隨機存取記憶體(圖/業者提供)

▲動態隨機存取儲存(DRAM)下半年傳出價格鬆動。(圖/資料照)

記者周康玉/台北報導

動態隨機存取儲存(DRAM)下半年傳出價格鬆動,但根據IC Insights最新報告指出,DRAM因價格這兩年(2017和2018年)的平均銷售價格強勁上揚,今年來成長達39%,但預估明年將會呈現負成長1%。

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但值得注意的是,DRAM在這六年來起伏頗大,在IC市場中,時而年成長達第一名,時而又墊底,顯示此產業的不穩定性和週期性。

報告指出,因為2017年、2018年DRAM強勁成長,三星、SK海力士、美光等三大記憶體廠已擴大產能,減緩供需緊張,尤其是在高效能計算(HPC)記憶體方面。

此外,大型數據中心服務器(datacenter)的出貨量大幅增加,是近期DRAM市場激增的主要催化劑,然而因中美貿易的不確定性恐會影響到後續基礎建設的決策。

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NAND Flash在去年也同樣具有高成長性,年成長達53%,其中,固態計算(Solid-state computing)是驅動高密度、高效能的關鍵。