記憶體吹冷風!三巨頭下修今年資本支出 南亞科跟進

▲南亞科新總部成立。(圖/記者周康玉攝)

▲南亞科總部。(圖/資料照)

記者周康玉/台北報導

記憶體吹冷風,各大廠在DRAM的總資本支出約為180億美元,年減約10%,來到八年來最低點。記憶體三巨頭三星、SK-海力士、美光都下修資本支出,台廠則是南亞科最早宣布跟進,要大砍資本支出50%。

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研調機構TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查指出,記憶體三巨頭都放緩投資計畫,包括三星和SK-海力士,市占第三名美光也下修今年資本支出,統計全球DRAM的資本支出總金額,預估將達180億美元,年減約10%,是八年來最保守。

三星終止平澤廠(Line18)擴產計畫,今年投資金額估80億美元,投資重點放在先進製程(1Ynm),估位元年成長僅20%,歷年最低。

市占第二大的SK-海力士今年的DRAM投資金額也降低到約55億美元,今年位元成長約21%,稍微高過三星。

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第三大記憶體廠美光則宣布下修2019年資本支出至約30億美元,元成長目標從原先的近20%下修至15%。

三巨大都下修資本支出,台廠南亞科也率先開出第一槍跟進下調腳步,日前於法說會宣布,今年資本支出將較去年大砍50%,將從去年度的210億元(6億美元)降至100億元(3億美元)。

南亞科總經理李培瑛指出,由於市況「急凍」,甚至無法確定第1季是否落底,但今年會努力挑戰「不虧損」。