發言時間 101/12/2815:49:08
發言人 譚仲民 發言人職稱 副總經理 發言人電話 (03)5795000-2056
主旨 : 公告本公司取得美國專利局核發US 8279673專利
符合條款第8款
事實發生日101/12/28
說明
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:101/12/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 351,381
4.其他應敘明事項:
本發明之非揮發性半導體記憶裝置用以控制晶片尺寸之增加並防止相鄰
總位元線GBL間電容容量所導致之誤讀,包括:非揮發性之記憶單元陣列,
藉由對串接於所選位元線兩端之選擇閘極電晶體間之每一記憶單元電晶
體設定啟始電壓,用以記錄資料;及控制電路11,經由與複數之位元線共
同連接之總位元線,用以從上述記憶單元電晶體控制讀取位元線及資料,
其中,於上述總位元線中之一位置,利用接地電晶體23來連接總位元線及
既定電源線。上述接地電晶體23鄰接於進行資料讀取之總位元線,且連接
於未進行資料讀取之總位元線,係由上述控制電路11開啟。
以上資料均由各公司依發言當時所屬市場別之規定申報後，由本系統對外公佈，資料如有虛偽不實，均由該公司負責.
ETtoday 小遊戲
