發言時間 101/12/2815:49:01
發言人 譚仲民 發言人職稱 副總經理 發言人電話 (03)5795000-2056
主旨 : 公告本公司取得美國專利局核發US 8242034專利
符合條款第8款
事實發生日101/12/28
說明
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:相變化記憶裝置
及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:101/10/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 184,282
4.其他應敘明事項:
一種降低加熱電極與相變化材料層間接觸面積之方法，包括下列步驟：
提供一第一介電層，其內埋設有一加熱電極，該加熱電極具有高出該第
一介電層表面之一露出部，該加熱電極具有一第一直徑；施行一氧化
程序，以於該加熱電極所露出之該露出部之頂面與側壁上形成一氧化物層
，並縮減該露出部之一尺寸至一第二直徑，該第二直徑少於該第一直徑；
移除部分之該氧化物層，以露出該加熱電極之該露出部之一頂面並於該突
出部之一側壁上留下一氧化物間隔物；以及形成一相變化材料層於該加熱
電極之該露出部上，該相變化材料層至少接觸該露出部與該氧化物間隔物
之頂面。
以上資料均由各公司依發言當時所屬市場別之規定申報後，由本系統對外公佈，資料如有虛偽不實，均由該公司負責.
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