▲格芯推高密度3D測試晶片，滿足高端消費性電子應用需求。（圖／達志影像）
記者周康玉／台北報導
晶圓代工廠格芯（Globalfoundries）今（12）日宣布攜手Arm推出高密度3D測試晶片，此晶片採用格芯12奈米領先性能版本（12LP）FinFET製程，滿足資料中心、邊緣運算和高端消費性電子產品應用的需求。
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這款高密度3D測試晶片已成功流片生產，實現更高水準AI/ML與高端消費者行動及無線解決方案等效能，顯示Arm和格芯在研發差異化解決方案方面取得快速進展，提升可擴充高效能運算的裝置密度和效能，從而實現可伸縮高性能運算。
此外，兩公司還驗證了一種3D可測試設計（Design-for-Test，DFT）方法，使用格芯的混合式晶圓對晶圓接合，每平方公厘多達100萬個3D連接，拓展12奈米設計在未來的應用。
Arm研發部副總裁Eric Hennenhoefe表示，Arm的3D互連技術能使半導體產業強化摩爾定律，使運算應用更加多樣化。
格芯研發平台首席技術專家John Pellerin表示，先進封裝比以往扮演更重要的角色，與Arm攜手合作，提供先進的封裝解決方案，進而整合針對SFF規格（Small Form Factor）的邏輯微縮、記憶體頻寬和RF效能優化的各種節點技術，有助客戶能更有效創建完備的差異化解決方案。