▲英特爾發布加速製程計畫及宣布將用全新節點方式命名。（圖／取自英特爾官網）
記者高兆麟／綜合報導
英特爾今日揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，並宣布一系列基礎創新，為2025年及其之後的產品注入動力，同時也將採用新款節點命名方式，半導體分析師陸行之就發文表示，儘管一般人認為Intel製程工藝打不過台積電，用改名最快，但他認為台積電不能輕敵，儘管這個是宣戰，但也算是正名及縮短差距的新策略。
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陸行之說，一般人會認為，Intel 製程工藝打不過，追不上台積電，用改名快，但他有一些不同的看法，他反而覺得台積電不能輕敵，這個雖然是宣戰，但也算是正名及縮短差距的彎道加速超車新策略，因為Intel 本來2022年10nm 的 Alder Lake/Sapphire Rapids 及 2023年7nm 的Meteor Lake/Granite Rapids，確實跟台積電的7nm 及 4nm 在 poly、 metal、fin pitch、performance不相上下。
陸行之也解釋，Intel 現在終於放棄了過去在節點名稱的堅持，回歸產業正軌，這樣半導體分析師也比較輕鬆，以後就專心盯著每家資本開支，量產時點，良率，產能利用率, 成本等等。
而根據自Pat Gelsinger上任英特爾CEO後，Intel 一口氣公布未來五年的製程工藝藍圖，包括下列六項:
1. 10nm SuperFin 加強版正名成7nm：2022年原本要用 10nm SuperFin 加強版量產做的筆電CPU Alder Lake，伺服器 CPU Sapphire Rapids 正名為 Intel 7nm (台積電 2Q18 vs. Intel 2Q22，兩者差4年）
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2. 7nm 正名成4nm：2023年原本要用7nm 量產做的筆電CPU Meteor Lake， 伺服器 CPU Granite Rapids 正名為 Intel 4nm (台積電 2Q22 vs. Intel 2Q23，兩者差一年）
3. 第一次宣布的 Intel 3nm 要在2023年下半年投片量產，和台積電的2022下半年度差一年
4. 第一次宣布的 Intel 2nm/20A Angstrom 埃米（有Ribbon FET、 PowerVia、GAA) 要在2024年幫高通投片量產新產品，這應該跟台積電2nm/20A投片量產時點不相上下
5. 第一次宣布的 Intel 1.8nm/18A 要使用改良版的RibbonFET，還有使用ASML最新的高數值孔徑High NA EUV
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6. Intel首次宣布在2024年搶下高通20埃米晶圓代工產品，亞馬遜的AWS將成為Intel第一個代工客戶使用Intel先進封裝解決方案，這些沒有跟Intel 產品競爭的客戶使用Intel 代工服務
陸行之最後也指出，現在就要看Intel 是否能夠確實執行計畫了，若計畫發表後，以後再延遲，就一翻兩瞪眼很難看了。