▲汎銓斬獲新專利工法，包括「低溫原子層鍍膜」、「導電膠」與「原子層導電膜」三大材料分析專利，圖右二為董事長柳紀綸、右一為技術長陳榮欽、左一為營運長廖永順。（圖／汎銓提供）
記者高兆麟／綜合報導
半導體材料故障分析大廠汎銓(6830)近期再取得「導電膠」與「原子層導電膜」兩個新的專利工法，加上先前已取得的「低溫原子層鍍膜」專利，汎銓科技所建構三大材料分析專利，汎銓在半導體先進製程材料分析技術競爭力獲得再次強化。
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汎銓表示，隨著半導體先進製程發展至電晶體尺寸已達到奈米等級，使得材料分析的技術難度、精準度的要求等皆日益增加，如何達到無損傷分析，已成了材料分析領域相關業者所需面對的共同課題，過去1奈米的損傷，並不影響製程判讀，但在即將進入2奈米製程研發的今日，些微量測差距都將導致分析的失準，可見材料分析技術的進入門檻也越來越高。
汎銓表示，多年來，公司一直致力於降低分析誤差，如何在分析過程中，保護目標，在取樣的過程中呈現樣品最真實的原貌，以保留其中微小的製程差異，這需要複雜的保護工法，汎銓已超前佈署研發出各項分析工法，並透過專利的取得，建構公司高度的競爭城牆。
汎銓進一步表示，公司所開發的「低溫原子層鍍膜」專利，對於敏感材料，包括EUV光阻、LK材料等，皆有很好的保護效果，有助提高分析的精準度，此低溫原子層鍍膜系統，能夠製備最嚴苛的TEM(穿透式電子顯微鏡；Transmission Electron microscopy)樣品，甚至在最脆弱的光阻或高分子樣品上得到運用的驗證。
再者，先進製程材料分析所仰賴的高解析度電子顯微鏡，常因電荷累積而產生誤差，汎銓科技也開發出兩個新的專利工法來應對，汎銓歷經多年利用「導電膠」與「原子層導電膜」克服了電子顯微鏡的問題，已成功有效的將電子顯微鏡中多餘的電荷導出試片，降低損傷，而對於新一代含金屬的EUV光阻或是其他能量敏感材料，也能發揮其強大的保護力，目前已應用在最先進的製程上，並成為分析先進製程的利器。
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隨著後摩爾時代的來臨，晶片尺寸朝微縮化、效能增加、功率耗損減少，已大幅提升整體半導體生產製程良率之難度，從製造一個晶片來看，過去只需要幾百道製程，如今已演變到多達數千道之譜，可謂高難度也高複雜化，而每一道製程也都須依賴分析來檢驗其優劣。
其中，更有數十道關鍵製程，必須倚賴大量的穿透式電子顯微鏡分析服務來檢驗數據上埃米尺度的極微小差異，提供正確且精準的分析結果，這也就是汎銓一直以來努力的目標。
汎銓表示，公司將持續憑藉專業優秀的研發團隊，且與各大晶圓代工廠、IDM廠及上下游IC設計、封裝等產業主要客戶保持密切良好合作基礎，有效提供高準確度與即時性之半導體研發製程分析解決方案，並全力拓展兩岸事業佈局，以期挹注整體營運保持良好成長動能。