▲英特磊董事長高永中。（圖／英特磊提供）
記者高兆麟／綜合報導
IET-KY （英特磊，4971）公布Q1營收為新台幣2.2億元，較110年同期的1.52億元增加44.72％；稅後淨利為4209.5萬元；EPS 1.16元則較110年同期的0.05元增加22倍，也較110年Q4旺季的0.74元增加56.76%，不僅營收大幅提升，獲利更是大躍進。董事長高永中表示，營收與獲利均有明顯成長主因來自於InP等高毛利產品比重增加所致。
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根據市調公司GII所做的統計資料指出，全球雲端資料庫及DBaaS的市場規模預測將從2020年的120億美元，到2025年達到248億美元，在預測期間中預計將以15.7％的年複合成長率成長。此外，5G基建部分也在各國政府積極推廣的狀態下，研究機構 Gartner 2020年就已預估市場規模已達80億美元，且呈現逐年成長的態勢。
高永中指出，由於物聯網、5G持續快速發展，加上疫情之後全球對於雲端作業的需求更是加重，因此帶動全球高頻光纖網路加快增速增覆蓋。而5G的基礎建設及高頻光纖網路中最重要的基本元件就是磷化銦（InP）的異質結雙極電晶體（HBT）、晶片光接收器（PIN）和雪崩式光接收器（APD），因此在市場需求強勁下，這三項高毛利產品帶動英特磊第一季獲利突飛猛進。
另外在氮化鎵（GaN）部分，高摻雜氮化鎵二次生長也是未來公司重要的成長動能。高永中進一步表示，所謂二次生長（regrowth) 是指在GaN磊晶元件上再以MBE技術生長高摻磊晶可有效提升產品效能；目前主要應用在國防、通訊及5G相關射頻(RF) GaN HEMT磊晶片。其優勢在於磊晶品質佳且價格相對低，可大幅為客戶降低成本；新的趨勢是八英寸GaN/Si也開始考慮使用這種二次生長，市場需求相當樂觀。
法人表示，從公司目前在手訂單以及市場需求量來看，不僅高毛利產品比重增加，氮化鎵二次生長也相當受到客戶歡迎，日前公司亦表示下半年有增加機台的打算；整體而言，英特磊今年的營運表現相當值得期待。
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