▲聯電取得新加坡新廠土地，月租金579萬元。（示意圖／聯電提供）
記者高兆麟／綜合報導
晶圓代工大廠聯電（2303）2月底時宣布，董事會通過在新加坡Fab12i廠區擴建一座嶄新的先進晶圓廠計畫，聯電今日也公告，以每月土地租金新加坡幣27.2萬元(約新台幣579.1萬元)，取得位於新加坡Pasir Ris Industrial Drive 1 at Pasir Ris Wafer Fab Park之土地使用權資產，租期為30年，估計總租金約新台幣9.54億元。
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根據聯電公告，聯電以每平方公尺新加坡幣29.21元/年(約新台幣621元/年)，或每月土地租金新加坡幣27.2萬元(約新台幣579.1萬元)，取得位於新加坡Pasir Ris Industrial Drive 1 at Pasir Ris Wafer Fab Park之土地使用權資產，土地租賃面積111,750 平方公尺，租期自民國111年7月至民國141年7月，共30年。
聯電表示，價格決定參考依據由JTC Corporation參考新加坡工業用地租金行情決定，後續年度租金將依新加坡工業用地租金行情調整之。
聯電先前表示，新廠第一期的月產能規劃為30,000片晶圓，預計於2024年底開始量產。
聯電表示，這座新廠(Fab12i P3)是新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一，提供22/28奈米製程，總投資金額為50億美元。聯電在新加坡投入12吋晶圓製造廠的營運已超過20年，新加坡Fab12i廠也是聯電的先進特殊製程研發中心。加計Fab12i 的擴建計畫，聯電在2022年的資本支出預算將提高至36億美元。
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由於5G、物聯網和車用電子大趨勢的帶動，對聯電 22/28奈米製程需求的前景強勁，因此新廠所擴增的產能也簽訂了長期的供貨合約，以確保2024年後對客戶產能的供應。新廠生產的特殊製程技術，如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI及混合信號CMOS等，在智慧型手機、智慧家庭設備和電動車等廣泛應用上至為關鍵。聯電期望這座新廠能在滿足這些市場強勁的需求上扮演重要角色，特別是協助紓解22/28奈米晶圓產能結構性的短缺。