▲三星否認將再延後量產時程，將按進度第二季開始量產3奈米晶片。（示意圖／路透）
記者高兆麟／綜合報導
南韓當地媒體韓媒《東亞日報》報導，三星電子（Samsung Electronics）因 3 奈米良率遠低於目標，將再延後量產時程，不過遭到三星否認。三星發言人今（22）日表示，三星依舊按進度第二季開始量產 3 奈米晶片。
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而稍早前《韓聯社》也引述消息人士報導指出，稱三星將在下週對外公佈，率先量產環繞閘極技術（GAA）架構的3奈米製程。
三星今年將 GAA 技術率先使用在3奈米的製程上，並計畫2025年量產2奈米製程，總投資額將達450兆韓元（約新台幣 10.5 兆元），期許超越台積電，取得領先地位。
三星押寶的 GAA 技術為新世代製程，能以更小的體積實現更好的功耗表現，可將晶片面積減少多達 45%，同時性能提高 30%，功耗降低 50%，將為晶片業帶來另一次重大設計轉折。
至於台積電的3奈米製程進度方面，台積電先前指出，N3將使用FinFET電晶體架構來提供客戶最成熟的技術、最好的效能及最佳的成本。台積電的N3按照計畫開發，也已開發完整平台支援高效能運算及智慧型手機應用，N3預計在2022下半年量產。
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台積電表示，公司也持續觀察到N3有許多客戶參與，相較於N5，預期首年會有更多新的產品設計定案。而N3E將作為自家3奈米家族的延伸，具有更好的效能、功耗和良率，台積電亦觀察到N3E有許多客戶參與。N3E的量產時間計畫在N3量產後一年進行。