▲南亞科技新廠動土典禮。（圖／記者高兆麟攝）
記者高兆麟／綜合報導
DRAM大廠南亞科技（2408）今日於新北市泰山南林科技園區舉行新廠動土典禮，因應未來市場需求及擴大台灣DRAM產業的發展，南亞科技規劃投資新台幣3,000億元興建一座雙層無塵室新廠。動土典禮由台塑企業總裁王文淵及南亞科技董事長吳嘉昭主持，總統蔡英文、新北市長侯友宜、行政院副院長沈榮津、監察院副院長李鴻鈞、經濟部長王美花等中央及地方首長、 民意代表及半導體業界人士等約320人應邀出席。
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南亞科技新廠基地包含「主廠房」、「研發大樓」及「水資源再生中心」，同時也將興建 EUV 極紫外光微影設備獨立廠房，以因應未來先進製程導入之需求。採用南亞科技自主研發的 10 奈米級(1A, 1B, 1C, 1D)製程技術生產 DRAM 晶片， 並將運用「AI 智慧製造」技術，全面提升製程效率。
南亞科新廠規劃分三階段進行擴建，完成後月產能可達到 4.5 萬片晶圓，預計 2025 年開始裝機投片量產， 全公司晶粒位元產出成長將達 120%，每年預估可創造超過 700 億元產值， 並提供約 3,000 個工作機會，間接創造產業鏈數千個就業機會。
台塑企業總裁王文淵表示，DRAM 是關鍵的零組件，即使歷經 2007 年至 2012 年 DRAM 市場劇烈變動和 2008 年全球金融海嘯等難關，台塑企業仍全力支持南亞科技挺過逆境，替台灣保留電子產業關鍵零組件的技術。而且 DRAM 技術更迭快速，若無研發自主，技術及擴產將無法自我掌控，為能完全擺脫營運枷鎖，南亞科技經過不斷的創新與研發，已成功開發出新世代 10 奈米級記憶體 技術，代表台灣正式掌握 DRAM 半導體世界一流的先進技術能力。
南亞科技董事長吳嘉昭表示，為了掌握 DRAM 關鍵技術，南亞科技五年來研發經費增加 3 倍，研發人力也擴充至千人規模，全球累計專利數超過 5,000 件。10 奈米級第一代 1A 技術及產品預計於今年下半年量產，第二代 1B 技術及產品已進入試產，並已展開第三代 1C 技術以及應用於 1D 的 EUV 技術研發工作。
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南亞科技總經理李培瑛表示，南亞科技近年來在 ESG 各個面向的努力， 獲得國內外評選機構的高度肯定，入選「DJSI 道瓊永續世界指數及新興市場指數」、「國際碳揭露 CDP 氣候變遷最高評級及水安全領導評級」、「國家永續發展獎」、「國家企業環保獎」及「綠色工廠標章」等多項永續殊榮。
在研發方面， 積極開發低碳產品包括下世代記憶體 DDR5、LPDDR5，可以為客戶節省 16% 到 35%的功耗。
在生產方面，落實綠色生產，溫室氣體排放量 5 年來降低 30%， 節能措施近 5 年累計節電達 5,830 萬度，製程水回收率達到 90.8 %，佈局再生能源未來 10 年總量 2.5 億度太陽能。未來新廠，將以綠建築標準及智慧建築規劃，帶動 DRAM 產業鏈邁向綠色生產。