集邦:庫存攀升原廠降價求售 Q3消費性DRAM跌幅增至13~18%

▲工研院15日於VLSI發表頂尖「磁性記憶體」技術。(圖/工研院提供)

▲DRAM在終端庫存尚未完全去化以前,拉貨動能難以回溫。(示意圖/工研院提供)

記者高兆麟/綜合報導

據TrendForce調查DRAM市況,韓系原廠在產出不斷增加的壓力下,為刺激供應商與客戶拉貨,讓價意願明顯提高,促使價格跌幅持續擴大。

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除了韓系廠積極讓價,來自現貨的低價顆粒亦在市場流通,其他供應商不得不跟進,積極降價求售,使得第三季consumer DRAM價格跌幅從原先預估的季跌8~13%,快速擴大至季跌13~18%。

展望第四季,在終端庫存尚未完全去化以前,拉貨動能難以回溫。TrendForce認為,供過於求的市況尚未獲得改善以前,預期consumer DRAM價格將持續下探,使得第四季consumer DRAM價格持續走跌,跌幅約3~8%,且不排除跌幅將有擴大的可能性。

以DDR3而言,去年在韓系廠積極的定價策略之下,價格處於高水位;以DDR3 4Gb為例,與過去最低價格相比約有六成的漲幅。觀察終端的應用,客戶在新案選擇導入DDR4,除了成本的考量外,台系廠的DDR3顆粒尺寸也是一重要因素,顆粒放大將壓縮到其他零組件的陳列空間。

基於以上考量,客戶轉進DDR4的進度比預期樂觀,因此在DDR3市場規模明顯收斂的情況下,展望未來補跌空間大。而DDR4目前的價格雖處於相對低點,但其製程較DDR3先進,且三大原廠仍有持續轉進新製程的規劃,成本將有效收斂,故預期價格走勢仍將持續走跌。

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