▲三星曝光3奈米晶片技術。（圖／路透）
記者高兆麟／綜合報導
根據外媒報導，將於明年推出第二代3奈米製程的三星電子，首次透露了技術水平，這也意味著其先進晶片製程即將實現商業化。
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外媒報導指出，與目前的 4 奈米製程相比，新的 3 奈米製程將晶片性能提高了 20% 以上，業內觀察人士，這一水平威脅到競爭對手台積電。
據業內消息人士周一透露，這家韓國科技巨頭透露了其晶片 2023 年國際 VLSI 研討會的初步演示材料中的技術狀態。該研討會被稱為世界上最負盛名的半導體會議，將於下個月在日本舉行。
演示材料指出，第二代 3奈米製程的晶片比當前4奈米製程的晶片快22%，能效高 34%。此外，與上一代相比，晶片尺寸將減少21%。
新消息的發布意義重大，因為這是三星首次將其未來的晶片製造工藝與其主要的4奈米製程進行比較。此前，該公司在將其性能與下一代技術進行比較時，將其5奈米製程作為基準。三星在去年6月首次開始生產其第一代 3奈米晶片時，聲稱與5奈米製程相比，晶片性能提高了23%，晶片尺寸縮小了16%。
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業內專家也評價三星的最新成就是其技術能力的重大進步，尤其是考慮到與台積電的競爭。台積電最近宣布，與5奈米製程晶片相比，其第二代3奈米製程晶片性能提高了18%，晶片功耗降低了32%。台積電的N5奈米製程一般被認為在技術上與三星的SF4奈米製程相似或更低。