▲韓媒認為，台積電三奈米製程存有瑕疵，造成蘋果新晶片過熱頻傳。（圖／記者高兆麟攝）
記者高兆麟／綜合報導
根據韓國媒體BusinessKorea報導，蘋果最新智慧型手機iPhone 15 Pro因新晶片A17 Pro過熱而陷入爭議，而A17 Pro晶片採用台積電首次大規模量產3奈米製程。
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韓媒指出，近日有中國用戶反映，iPhone 15 Pro運行高規格遊戲後，30分鐘內手機溫度飆升至48℃，而半導體晶片會出現這種過熱通常表示存在設計缺陷或製造過程中的問題，例如未能控制漏電。
韓媒引述一些業內人士說法表示，台積電的製程可能有問題。這種懷疑背後的一個原因是，有些人認為傳統 FinFET 方法在微縮化方面已經達到了極限。這項技術於 2011 年推出，台積電一直被譽為FinFET工藝大師引領業界，但隨著晶片尺寸接近 3 奈米以下領域，使用 FinFET 方法控制電流變得具有挑戰性。
業內人士指出，更大的隱憂是如果第一代3奈米產品有缺陷，基於相同技術的後續製程也可能會出現問題。台積電宣布推出數種後續 3 奈米製程，包括繼第一代 N3B 之後的第二代 N3E。
先前三星電子在 5 奈米製程上面臨挑戰，並在後續的 5 奈米和類似的 4 奈米製程中遭遇挫折。這導致 Galaxy S22 中安裝的晶片出現過熱問題。因此，高通等主要客戶轉向了台積電。結果，台積電和三星電子之間的市佔率差距在上個季度擴大了超過50.3個百分點。
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三星之後在其 3 奈米製程中引入了重大轉變，採用了GAA結構，該結構提供了更多的控制面。這提供了更精細的電流控制，降低了功耗並將性能效率提高了約 10%。
根據Hi Investment & Securities預計，三星3奈米良率預計將超過60%。相較之下，台積電的3奈米良率約為55%。有人擔心，如果對台積電 3 奈米製程良率的懷疑持續存在，主要客戶可能會同時採用或轉向三星產品。
台積電已經承認 FinFET 方法的局限性，並宣佈在 2 奈米時改用 GAA 方法。不過，這可能會被推遲，因為台積電最初計劃在 2025 年大規模生產 2 奈米半導體，並在 2024 年生產原型，但在台灣的 2 奈米工廠建設卻出現了延遲。
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