▲三星第二代3奈米製程已開始試產。（示意圖／路透）
記者高兆麟／綜合報導
根據韓國媒體Chosun引述業內人士消息指出，三星電子代工廠已開始針對其第二代3奈米製程 SF3 進行試生產，並計劃在未來六個月內將良率提高至60% 以上。
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根據消息人士表示，三星正在測試SF3 節點上製造的晶片的性能和可靠性；首個採用三星SF3 製程的晶片預計將會是專為可穿戴設備設計的應用處理器，計劃用於今年稍後發布的Galaxy Watch 7 等產品。
同時，Chosun也預計三星將為明年的Galaxy S25系列智慧型手機所搭載的Exynos 2500 晶片使用這一製程。
業界認為，台積電3奈米良率應該在70%至80%左右，目前處於滿單狀態，三星縱使SF3 產量和性能穩定，對台積電業績影響有限。
三星先前表示，計劃在2024年下半年開始大規模量產SF3晶片；2023-2024年將以3奈米生產為主，即SF3 (3GAP) 及其改良版本SF3P (3GAP+)，而且三星還計劃於2025 -2026 年開始推出其2奈米節點。
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根據三星介紹，SF3 節點可在同一單元內實現不同的環繞柵極（GAA）電晶體奈米片通道寬度，從而提供更高的設計靈活性。這也能夠為晶片帶來更低的功耗和更高的性能，並透過優化設計來增加電晶體密度。