中國半導體突破8奈米 台積電前研發處長楊光磊「沒道理做不出」

▲大陸科創板第一股中芯國際上海總公司。(圖/CFP)

▲大陸科創板第一股中芯國際上海總公司。(圖/CFP)

記者陳瑩欣/台北報導

中國工信部近日公布重大技術裝備推廣應用指導目錄,其中兩台曝光機據傳可生產8奈米及以下晶片,引發市場熱議,中芯國際股價因此看漲,不過前台積電(2330)研發處長、中芯國際前獨立董事楊光磊表示:「說中國做不出8奈米沒道理。」但對良率、效能和成本等關鍵表現,楊光磊存疑。

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現任國立台灣大學重點科技研究學院客座教授的楊光磊日前受資深媒體人岑永康邀約在《永康新世界》中分享產業觀點,被問到中芯國際受到半導體技術突破股價走揚,他笑答:「於我如浮雲啊,去英特爾之前,我早就賣光了。」

楊光磊指出,美國抵制,讓中國「被迫」國產化,雖然早期在他剛畢業美國有禁令,後來中芯取得美國同意投入半導體生產,美中貿易戰後,中國想要傾全國之力自主設備,楊說:「目前中芯可以做7奈米沒有問題。」

根據中國的奈米技術,楊光磊認為,目前中芯國際用艾司摩爾(ASML)的機器,製作7奈米晶片絕對沒問題,因為台積電第一代的7奈米也未使用到極紫外光(EUV)機器。

至於用乾式的氟化氬光刻機,楊光磊說,該光刻機雷射波長193奈米,要製作出8奈米的技術,絕對是可能的,因為193奈米不斷除以2就會接近8奈米,所以技術上絕對可行。

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楊光磊指出,其實氟化氬光刻機最早在半導體製程裡用於「0.13微米」時代,1999年就開始使用了,現在說中國做不出來,好像沒什麼道理。

台灣科技力智庫執行長烏凌翔指出,大陸工信部的指導目錄,其中氟化氪、氟化氬,套刻8奈米,和ASML約18至20年前的技術,雖然距現在還非常遠,但有進步、有突破。

楊光磊強調,自己去中芯只是做獨立董事,只是參加董事會,沒有參加中芯的實質活動,「包括研發,他們找我給建議,但我發現,也沒有太多可以建議。」

「中芯執行長叫梁孟松,是我見識過最厲害的技術人員,有他在,根本沒有我的角色。」楊光磊說:「我在2021年從中芯退下來時,當時的中芯已幫華為7奈米做出雛型驗證,但是效能多好,可能不見得;現在2024年,過了3年以後,(傳出突破8奈米製程)我不會驚訝。」

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不過,楊光磊也認為,所有東西涉及成本還有良率的問題,要理解3年是什麼概念,摩爾定律是1.5到2年是1代技術,3年是1.5代,有些產品已經往前走了,從技術和很多考量在世界上可能沒有競爭力了,但中國市場是自己的封閉式市場,它的終端產品如華為手機與蘋果競爭。

楊光磊認為,國與國的競爭、產品與產品的競爭,是在終端產品上,而不是只有初段製程,華為願意花這個成本、讓毛利率下來,去做10奈米以下的產品,後市表現需要再做觀察。