▲台積電。（圖／記者高兆麟攝）
記者高兆麟／綜合報導
研調機構TrendForce今日舉行「AI時代 半導體全局展開 – 2025科技產業大預測」研討會，並預期高算力應用成為先進製程及整體晶圓代工產業最大驅力，2025年全球晶圓代工業產值將迎來20%的成長，台積電表現仍將一支獨秀，其餘晶圓代工廠也可望有近12%的年成長。
[廣告] 請繼續往下閱讀.
TrendForce表示，因AI應用帶動高效能運算晶片的需求熱度已近兩年，高算力應用成為先進製程及整體晶圓代工產業最大驅力。自2025年起，除了AI晶片供應商及CSPs自研晶片，記憶體供應商為因應高算力需求，為使HBM和邏輯晶片有更好的適配性，爭相尋求先進製程晶圓代工夥伴合作。晶圓廠上中下游配套IP、設計服務及後段的封測生態系皆是AI軍備競賽的必要資源，不再只專注在前段製程的先進技術。
TrendForce指出，從整體晶圓代工產業分析，除先進製程的商機外，AI對電源管理的需要能否為需求沉寂已久的成熟製程注入活水，以及2025年晶圓代工產業在Cloud AI與Edge AI的發展下將如何變革，都成為關注焦點。各應用別在2024年將陸續結束長達兩年的庫存修正週期，TrendForce預估，2025年全球晶圓代工業產值將迎來20%的成長，台積電表現仍將一支獨秀，其餘晶圓代工廠也可望有近12%的年成長。
另外，HBM市場仍處於高成長階段，隨著AI Server持續佈建，在GPU算力與記憶體容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環，帶動HBM規格容量上升，如NVIDIA Blackwell平台將採用192GB HBM3e記憶體、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由於HBM生產難度高、良率仍有顯著改善空間，推高整體生產成本，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待HBM3e量產，加上產能擴張，營收貢獻將逐季上揚。
而NAND Flash 供應商經歷 2023 年的鉅額虧損後，資本支出轉趨保守。同時，DRAM 和 HBM 等記憶體產品需求受惠AI浪潮的帶動，將排擠 2025年NAND Flash 的設備投資，使得過去嚴重供過於求的市況將有所緩解。隨著AI 技術快速發展，NAND Flash 市場正經歷前所未有的變革。AI 應用對高速、大容量儲存的需求日益增加，推動 enterprise SSD (eSSD) 市場的蓬勃發展。
[廣告] 請繼續往下閱讀..