MOSFET新兵博盛半導體報到 預計12月底上櫃

▲▼博盛半導體董事長孟祥集。(圖/博盛半導體提供)

▲博盛半導體董事長孟祥集。(圖/博盛半導體提供)

記者高兆麟/綜合報導

博盛半導體(7712)預計12月底掛牌上櫃,博盛以功率場效電晶體(MOSFET)為核心產品,專注設計開發、應用服務與銷售,並透過先進技術和全球布局,成為功率半導體市場的重要參與者。從電力轉換到電動車,再到再生能源和伺服器,產品應用面相當廣泛。

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博盛的高質量MOSFET產品,全方位涵蓋低壓、中壓、高壓範疇,技術包括超結型(Super Junction)、平面型(Planar)、溝槽型(Trench)及屏蔽閘極溝槽式(SGT)等製程結構。有別於其他同業,博盛在產品選擇上,專注於高階應用產品開發,如電動車與伺服器,成功建立差異化競爭優勢。而且,從創立之初即確立國際化策略,目前在全球24個國家設有銷售渠道,並與87家經銷商合作,服務北美、歐洲與亞洲市場;外銷收入佔比高達55.82%,而內銷則為44.18%。同時,該公司2024年前三季累計營收為新台幣10.64億元,年增5.32%、營業毛利3.8億元,年增34.44%,毛利率35.77%,稅後淨利新台幣2.01億元,年增64.38%,EPS 6.83元,年增57.01%。

董事長孟祥集表示,博盛的低壓MOSFET廣泛應用於消費性電子與伺服器設備,而高壓MOSFET則專注於各式AC-DC電源系統、與再生能源,車用元件則覆蓋車燈、儀錶板、PD、車用空調與馬達驅動等領域。根據TrendForce數據,2022年全球分離式功率元件市場中,MOSFET約佔56.3%,市場份額最大,並在新興應用如AI伺服器、數據中心及基站的需求帶動下,持續成長。

博盛的ASEMM(應用特定增強模組)技術則進一步提升高頻率與高效率電源設計能力,透過無線封裝與銅柱製程實現低損耗與高穩定性,大幅改善傳統封裝的阻抗與感抗問題。特別是在中低壓MOSFET市場,博盛的SGT製程技術滲透率快速提升,已開發出第三代超低導通電阻(RSP)的SGT MOSFET,能效與成本匹敵歐美競爭對手。高壓產品則採用超結型製程技術,突破物理限制,實現更低的導通電阻與更高的耐壓性能。

同時,博盛致力於第三代半導體材料的開發。碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)作為高壓應用的主流技術,已被廣泛應用於電動車和再生能源領域。TrendForce報告指出,2022年SiC功率元件市場產值達16億美元,主要來自電動車(67.4%)與再生能源(13.1%),並預計至2026年市場規模將達53.3億美元,前景樂觀。

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孟祥集進一步指出,公司近年積極布局車用市場,憑藉多年技術沉澱與經驗,已於2022年完成車規產品量產,並獲得AEC-Q101及ISO 9001/14001等國際認證。這些認證不僅是進入車用市場的關鍵門檻,更鞏固了博盛產品的可靠性與市場競爭力。截至目前,車用產品已佔博盛營收的10%,累積出貨超過1億顆且持續擴大車用產品應用中。

同時,公司在日本與韓國已與多家車廠建立穩固供應鏈,並在美國、德國、新加坡等地設有辦公室,直接服務全球客戶。隨著電動車市場高速增長,功率半導體的重要性不斷提升;根據Morgan Stanley研究指出,全球電動車滲透率預計在2030年達到42.1%,功率元件如SiC與MOSFET在車用電池管理與三電系統中的應用將持續擴大。博盛也計劃在未來三年內進一步提升車規產品出貨量,隨著市場需求逐漸加大,公司營運前景樂觀。