▲SK Hynix。（圖／路透社）
記者高兆麟／台北報導
在全球人工智慧運算需求持續放大的背景下，市場原本普遍預期 NAND Flash 供應將隨之加速擴產，但實際情況卻出現反向發展。掌握全球超過六成 NAND 市占率的三星電子與 SK 海力士，已著手規劃在 2026 年進一步收緊產能，為記憶體市場投下一顆震撼彈。
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韓國媒體指出，三星電子已將 2026 年 NAND Flash 晶圓產量目標下修至約 468 萬片，較 2025 年再度減少；SK 海力士的產出規模亦同步收斂，預估將從 2025 年的約 190 萬片，下滑至 170 萬片。換言之，在歷經前一波修正後，兩大原廠並未隨市場回溫而轉向擴產，反而選擇延續保守策略。
此一供給收縮的時點，恰與 AI 儲存需求快速放大的趨勢形成對比。法人指出，隨著次世代 AI 伺服器逐步導入，高容量 SSD 已成為系統架構中的關鍵零組件。以輝達預計於 2026 年下半年量產的新一代 AI 晶片 Vera Rubin 為例，其單一系統所需的 SSD 容量大幅提升，遠高於現行產品水準，顯示 AI 推論與訓練對儲存資源的依賴正快速升高。
市場預估，僅 Vera Rubin 一款產品，在 2026 年就可能帶來數千萬 TB 等級的新增需求，2027 年更將進一步放大。在需求持續攀升之際，主要供應商卻選擇收斂產能，使 NAND Flash 供需結構出現明顯變化。
業界分析，三星與 SK 海力士此番策略，並非單純看淡市場，而是出於多重考量的資源配置結果。首先，在記憶體產品線中，DRAM 目前的獲利能力明顯優於 NAND，使原廠在設備投資與產能配置上，優先將資源導向 DRAM 與高附加價值領域。
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其次，隨著資料中心對大容量 SSD 的需求快速成長，原廠正逐步將產品結構由 TLC 轉向 QLC 架構。產線轉換期間，包含設備調整、良率爬升等因素，勢必對實際產出形成壓力，也在客觀上限制了短期供給能力。
此外，面對中國 NAND Flash 廠商持續以價格優勢搶市，韓系大廠亦有意透過調整供應結構，降低在通用型消費市場的曝險，轉而提高企業級與伺服器產品比重，以維持整體獲利水準。
供給趨緊的訊號已反映在價格預期上。市調機構 TrendForce 指出，2026 年第一季 NAND Flash 合約價格，季增幅度可能達三成以上；IDC 亦預估，2026 年 NAND Flash 整體供給成長率，將低於近年平均水準。
業界人士指出，在 NAND Flash 業務歷經長時間修正後，原廠現階段更重視價格穩定與獲利結構改善。在 AI 應用持續擴張的支撐下，透過精準控管供給，已成為記憶體大廠迎接下一輪循環的重要策略。
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