▲南韓三星。（圖／路透社）
記者高兆麟／台北報導
根據韓國科技媒體《The Elec》指出，三星電子在第七代高頻寬記憶體（HBM）HBM4E 的開發進度再向前推進，關鍵的「基底晶片（Base Die）」已進入後段實體設計階段，象徵整體研發流程跨過重要里程碑。
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業界指出，HBM 的基底晶片位於整個堆疊模組最底層，負責資料讀寫控制與錯誤修正，是影響整體效能與穩定度的核心元件。隨著 AI 客戶對 HBM 功能要求提升，記憶體大廠也被要求在基底晶片中導入更多邏輯運算能力，使其設計複雜度大幅提高。
所謂後段設計，主要是將前段完成的邏輯架構，轉化為實際的電路配置與連線規劃，完成後即可進入「tape-out」階段，交由晶圓代工廠準備量產。市場解讀，這代表三星 HBM4E 的基礎架構已趨於成熟。
報導也指出，三星近期已重新調整 HBM 發展藍圖，並通知供應鏈於 3 月前提出對應的供貨規畫，新藍圖涵蓋 HBM4、HBM4E 與 HBM5 等世代，顯示三星正加速推進產品商轉時程，並依客戶需求導向進行高度客製化。
在組織架構上，三星自 HBM4 起即區分標準型與客製型 HBM 兩條研發線，其中客製化團隊主要服務 Google、Meta 與輝達等大型 AI 客戶，近期人力更擴編約 250 人。業界預期，HBM4E 將於 2027 年登場，而 HBM5 則規劃在 2029 年後推出。
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法人分析，HBM4 之前仍以通用型產品為主，但自 HBM4E 起，記憶體設計將更貼近客戶運算架構需求，基底晶片與晶圓代工廠之間的協同設計重要性明顯提升，也將成為三星與競爭對手拉開差距的關鍵。