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▲聯電將率先採用業界第一個0.11微米eFlash製程量產觸控IC,應用於次世代觸控控制器及物聯網應用產品。(圖/本報資料照片)
記者張煌仁/台北報導
晶圓代工廠聯電23日宣布,將率先採用業界第一個0.11微米eFlash製程量產觸控IC,以8吋晶圓製造,採純鋁後段技術,有效降低一次性費用降低客戶成本,因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品製程需求。而在利多消息的刺激下,聯電24日股價以紅盤開出,重新站上每股11元的位置。
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聯電表示,該技術於2012年底推出,為晶圓業界第一個結合12V與純鋁後段(BEoL)製程,以因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM,以便用於各尺寸觸控螢幕產品的微控制器時,0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件,並可達到更高效能。
聯電市場行銷處資深處長黃克勤表示,觸控面板已是現今電子產品主流的操作介面。聯電觸控平台解決方案其中重要特點,就是0.11微米eFlash解決方案,包含了可提供晶片設計公司的專有快閃記憶體macro設計服務。並藉由結合鋁後段製程來提供最佳成本效益,服務高度競爭的觸控IC市場。
此外, 12V可滿足現今更大尺寸觸控螢幕,與瀏覽網頁時在觸控螢幕上懸浮觸控(hover)應用的高信噪比需求。該技術與現今廣泛採用的3.3V解決方案相比,信噪比可改善超過3倍,可驅動晶片設計公司創造新世代更先進的觸控產品。
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