▲紫光集團在重慶設廠，計劃將在2019年底開工建設，預計2021年落成投產。（圖／翻攝紫光集團官網）
實習記者施怡妏／綜合報導
大陸紫光集團旗下長江存儲官方日前宣布，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，用來滿足固態硬盤，嵌入式存儲等市場的應用需求。原本預計將在今年年底正式量產的64層3D快閃記憶體，現在卻提前發布消息，似乎比預期進度進展的更順利。
根據外媒報導，早在今年8月底，2019中國國際智能產業博覽會上，紫光集團已經公開展示長江存儲的64層NAND Flash 晶圓，以及第二代64層256Gb 3D NAND，構想都來自於長江存儲自研的Xtacking架構設計。長江存儲表示，Xtacking產品擁有最高的存儲密度，每片晶圓可以切割出超過1000顆裸芯片。
在去年，美國舉辦的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，Xtacking的公布獲得了大關注。長江存儲執行長楊士寧據稱，此款晶片「堪比DRAM DDR4的I/O速度，同時帶來業界領先的位元密度，象徵著NAND市場的巨大飛躍。」長江存儲在美國被媒體譽為「中國之光」，Xtacking首度亮相，即獲得國際上的關注，與英特爾 (Intel)、美光(Micron)、三星 (Samsung)以及東芝(Toshiba)、西數（WD）等大型半導體公司差距僅一步之遙。
▲長江存儲64層3D NAND快閃記憶體晶圆。（圖／翻攝自長江存儲官網）
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示，「通過將Xtacking引入批量生產，能夠提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。」
今年三星、東芝、美光等公司量產了96層的3D閃存，長江存儲將挑戰128層以追上與其他廠商的差距。程衛華指出，「到2020年將會推出128層堆棧的3D快閃記憶體，在技術上將更精進，甚至追上與國際龍頭廠商的差距。」
大陸紫光集團DRAM生產計劃，一直以來備受業界的關注。8月底紫光集團宣布，與重慶市人民政府簽署了「紫光存儲晶片產業基地專案合作協議」，正式在重慶建立DRAM工廠與研發中心。紫光集團將在重慶兩江新區設立「紫光國芯積體電路股份有限公司」以及「重慶紫光積體電路產業基金」。
根據了解，從目前市場的角度觀察，全球超過90%的DRAM市占率主要以三星、SK海力士、美光三家廠商為主，一旦DRAM產業在未來得到一定的具體效益，可能對全球DRAM市場產生影響，若技術成功之後大量生產，透過削價競爭的模式，恐怕對原有的廠商帶來極大的威脅。
▲長江存儲核心廠區近況。（圖／翻攝自長江存儲官網）
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