環球晶攜手交大 成立「化合物半導體研究中心」！積極布局碳化矽、氮化鎵產業鏈

▲「環球晶圓」與國立交通大學合作，共同成立化合物半導體研究中心。（圖／環球晶圓提供）

記者楊絡懸／台北報導

半導體矽晶圓廠「環球晶圓」（6488）27日宣布，與國立交通大學正式簽訂合約，共同合作成立化合物半導體研究中心，攜手研發第三代半導體材料，包含但不限於6吋至8吋碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN），盼能快速建立台灣的化合物半導體產業鏈。

環球晶圓母公司「中美矽晶」（5483）榮譽董事長盧明光表示，碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）是非常具有發展前景的半導體材料，在下一波產業5G、電動車等高功率發電、高頻率的運用上，是最關鍵的要素。

盧明光強調，世界各國都視碳化矽（SiC）為國家戰略發展的原料及技術，台灣應該將第三代半導體之發展列為國家科技政策、全力發展，「與國立交通大學成立化合物半導體研究中心，是一個強強結盟的重要起步。」

▲環球晶圓表示，相較於傳統的半導體矽材料，碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）這類寬能隙元件具有優異的熱傳導率和高速切換能力，可減少運作損耗。（圖／環球晶圓提供）

國立交通大學代理校長陳信宏表示，交大引領台灣半導體研究之先，例如台灣第一片矽晶圓是在交大實驗室完成；交大結合校友力量，協助學校推動尖端研究，期望5至10年、能有3至5個領域達到世界第一的目標，進而成就「偉大大學」的願景。

陳信宏說，交大團隊將整合跨尺度學理研究特色，並結合環球晶圓生產製程相關獨特技術，整合理論與實務共同開發創新的高產能相關化合物半導體晶圓製造技術，以製造大尺寸、高品質、低缺陷晶圓為目標。

環球晶圓表示，相較於傳統的半導體矽材料，碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）這類寬能隙元件具有優異的熱傳導率和高速切換能力，可減少運作損耗；出色的性能適合在高溫高電流環境下運作，可提供更高的功率和絕佳熱傳導。

此外，碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）的散熱性能優越，且高飽和電流適用於快速充電，這些卓越的特性適用在5G通訊、快速充電與超高壓產品如電動車領域，深具市場潛力，被視為功率半導體元件的「明日之星」。