台積電二奈米擴產，材料供應鏈全面受惠，獨供廠商最具優勢如：新應材、宇川精材站穩前段製程，長興LCM封裝材料迎產品結構性突破。
文／周佳蓉
台積電日前法說會公布今年第一季財報，市場最先注意到的是每股盈餘二二．○八元，年增逾五成，超越市場共識。特別重要的是，資本支出宣布往五二○～五六○億美元區間的上緣靠攏，並宣告新增台灣台南、美國亞利桑那Ｐ２、日本熊本二廠，共三座晶圓廠，專門因應Ｎ３節點的龐大需求。台積電不只上修二○二六年的營收展望，這股強勁的成長動能，不外乎來自於三奈米與二奈米製程的加大擴廠，更源於先進封裝：如CoWoS產能的翻倍增長及SoIC製程的持續推進。
一張半導體製程的材料地圖，最能說明這個機會有多立體。前段製程從氧化擴散與鍍膜沉積開始，需要反應氣體與金屬靶材，宇川精材的ALD前驅物、台特化的矽乙烷、光洋科的靶材供應。進入光阻塗佈階段，光阻液、顯影液、晶邊清洗液（EBR）、抗反射層（BARC）等，主要受惠廠有新應材、永光、勝一、三福化。進入清洗製程後，所需雙氧水、硫酸、氨水等濕化學品，以及蝕刻去光阻所需的氫氟酸、磷酸、剝離液，則由永光、中華化、勝一、三福化、康普、晶呈科等一眾特化族群分工供應。熱處理與ＣＭＰ研磨階段，研磨墊由頌勝取得相關訂單，離子植入氣體由海外的林德集團及兆捷受惠到這個環節。
材料需求全面引爆
附表這副流程的意義，不只在於釐清誰供應什麼，而在於揭示一個結構性事實：半導體製造的每一個環節，都是特化材料的消耗端，且隨著製程推進，材料規格越來越嚴苛，供應商的替換成本也越來越高，因此眾多廠商之中，具備獨供地位的廠家將別具優勢。
新應材的核心競爭優勢，在於擁有從原料合成到量產的完整技術鏈，使公司能夠在最尖端的二奈米製程中，提供關鍵的表面改質劑（Rinse）。Rinse材料在微影製程中，進入烘烤前，作為高純度沖洗液，用於調整光阻劑表面的物理性質，以提升顯影後的解析度並減少圖案塌陷。隨著台積電三奈米、二奈米產能持續擴張，新應材提供的Rinse及相關新產品將逐步放量，其中，業界傳出二奈米用量較三奈米提升四成至五成，成為新應材成長動能的關鍵。
更具戰略意義的是新應材在ＤＵＶ（深紫外光）光阻劑的進展。公司將KrF與ArF光阻劑定位為未來三至五年的發展重心，目標憑藉優於日系大廠的產品性能，試圖分食日商JSR、東京應化（Tokyo Ohka Kogyo）、信越化學（Shin-Etsu Chemical）長期壟斷的格局。此外，針對矽光子（ＣＰＯ）技術所需的高門檻材料，例如能承受紅外線雷射穿透時所產生高熱能的封裝膠與光阻，新應材也已有多支產品在客戶端進行測試。
新應材受惠在地供應
新應材在去年第四季半導體材料的營收占比已躍升至八八％，毛利率則因為產品結構優化，提升至四四％。為支應強勁需求，產能布局正如火如荼進行，法人看好其產品的寡占性及產能的陸續開出，多樂觀看好股價仍有上升空間。
如果要在這張材料地圖上，圈出一家特別的公司，那會是宇川精材，今年一月中旬才登錄興櫃，成立於二○一一年，專注開發八Ｎ等級的超高純度ＡＬＤ（原子層沉積）前驅物，產品應用橫跨邏輯製程的FinFET、GAA nanosheet，到DRAM/HBM與GaN HEMT等化合物半導體，可說是「前段裡的前段」。（全文未完）
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