▲三星電子半導體事業部技術長Jaihyuk Song。（圖／三星電子提供）
記者高兆麟／台北報導
韓國大廠三星於COMPUTEX上以「整合式AI半導體解決方案（Integrated AI Semiconductor Solutions）」為展示主題。近期，AI產業已快速演進為涵蓋記憶體、儲存、封裝到熱管理等整體系統層級的全面競爭。三星展示橫跨記憶體、晶圓代工、邏輯晶片與先進封裝的全球唯一IDM（整合元件製造商）模式的「全方位解決方案（Total Solution）」競爭力，以及迎接新一代AI系統的發展策略。
三星此次首度公開了次世代HBM解決方案—HBM4E晶圓與晶片。HBM4E由三星最先進的1c DRAM製程的核心晶粒（Core Die），與三星晶圓代工4奈米製程的基礎晶粒（Base Die）結合而成的次世代HBM解決方案。該產品能穩定支援每引腳（Pin）最高14Gbps的傳輸速度，未來可擴充至16Gbps（最高4TB/s頻寬）的效能。此外，HBM4E的容量較前一代提升30%以上，並可依照客戶與系統需求，提供從32GB至64GB的多種配置。
除HBM4E之外，三星也同步公開了下一代HBM架構模型（Mock-up）。最受矚目的是，首度亮相、瞄準HBM5時代的核心技術—HPB（Heat Path Block）架構。HPB是三星為提升下一代HBM散熱效能所開發的熱管理架構（Thermal Architecture）技術。
隨著AI加速器效能、記憶體頻寬與功率密度快速提升，散熱管理已成為高效能AI系統發展的重要關鍵。尤其在HBM5架構中，需要以更快的速度處理更多的數據量，記憶體內部產生的熱量也隨之大增。其中，負責HBM與外部GPU之間超高速資料傳輸的D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer），是Base Die中主要的發熱來源之一。隨著資料傳輸速度越快，D2D PHY所產生的熱量也同步增加。因此，在HBM5等高效能產品中，如何有效控溫與散熱，將是關鍵競爭力。
HPB技術正是為了解決此挑戰而開發，HPB的結構設計是在D2D PHY區域額外配置一條獨立的熱傳導路徑（Thermal Path），讓熱可以更有效率地向外傳導與散發，藉此可降低熱阻（Thermal Resistance），提升運作穩定性，即使在高頻寬、高密度整合的環境下，也能展現更穩健的系統效能表現。
三星目前已在HBM4E的基礎上完成HPB技術驗證，並計畫從HBM5開始正式導入此技術。這是三星首次正式公開下一代HBM架構及熱管理技術發展方向，預期將成為強化HBM技術領導地位的重要里程碑。
三星本次展覽也展示了因應NVIDIA Vera Rubin平台發展方向的AI記憶體與儲存產品組合。在GPU方面，展示了HBM4；在系統記憶體領域，則有SOCAMM2；在儲存解決方案，則介紹PM1763、PM1753與PM9D3a等針對AI工作負載特性最佳化的產品。特別是，PM1763預計將搭載於NVIDIA VR200 GPU伺服器的本機SSD（Local SSD）使用。未來，三星電子將持續深化與NVIDIA的合作，不斷強化迎接下一代AI基礎設施領域的競爭力。
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