▲華邦電等台廠記憶體股受到衝擊。（圖／資料照）
記者陳瑩欣／綜合報導
受到中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT）啟動上市計畫消息影響，日韓記憶體大廠出現恐慌性殺盤，SK海力士ADR摜殺9%，今日在韓股掛牌繼續跌逾11%，記憶體賣壓一路燒向台股，前一個交易日亮燈漲停的華邦電（2344）今（16）日盤中殺逾半根，高價記憶體股群聯（8299）跌5.46％，南亞科（2408）、旺宏（2337）都出現逾6％跌勢，類股看多氣勢瞬間消融。
綜合《路透社》、《紐約時報》及《巴隆週刊》等外電報導，長鑫存儲準備在上海科創板掛牌，預計至少募資579億元人民幣（約86億美元或約新台幣2770億元），若全數行使超額配售選擇權，募資規模可增至666億元人民幣，可望成為今年亞洲最大股票發行案。市場憂心長鑫取得大筆資金後加速擴充產能，打亂全球記憶體供需，成為記憶體股殺盤導火線。
賣壓率先在美股爆發。美光股價15日盤中一度重挫超過11％，終場下跌8％，SK海力士美國存託憑證下挫約9％，SanDisk也跌逾8％。日本及南韓相關記憶體股隨後承壓，市場對DRAM產能競賽的疑慮進一步蔓延至台股。
台股記憶體族群前一交易日才在資金簇擁下全面噴出，華邦電與力積電（6770）雙雙攻上漲停，南亞科也大漲逾半根停板，不料隔日盤勢急轉直下。短線獲利了結賣壓加上長鑫擴產利空，使華邦電、南亞科、旺宏及群聯同步走弱，形成「昨日漲停、今日重挫」的強烈反差。
長鑫存儲是中國最大DRAM製造商，也是全球第四大DRAM業者。DRAM主要用於智慧手機、個人電腦、伺服器及人工智慧系統，全球市場長期由三星電子、SK海力士與美光主導。
長鑫近年快速擴張。根據IPO公開說明書，公司2025年全球DRAM市占率約7.7％；Counterpoint Research資料則顯示，2026年第一季市占率已升至約8％，高於一年前的3％，美光同期市占率約22％。快速攀升的市占率，使長鑫逐漸成為國際記憶體大廠無法忽視的競爭者。
AI需求也推升長鑫業績。公司第一季營收年增719％至508億元人民幣，約75.1億美元；今年上半年營收估達1,100億至1,200億元人民幣，接近2025年全年營收618億元人民幣的兩倍。
長鑫計畫把IPO資金用於擴充產能、升級製造技術及投入研發。由於記憶體產業具有高度循環性，供給快速增加往往伴隨價格下跌與獲利壓縮，市場擔心長鑫大舉擴產後，可能對一般型DRAM價格形成壓力。
《巴隆週刊》指出，美光約八成營收來自DRAM產品，長鑫市占率快速提升及募資擴產，容易觸動投資人對記憶體供過於求的敏感神經。全球記憶體大廠近來也陸續加碼產能，三星與SK海力士積極擴建南韓生產基地，美光則擴大美國投資計畫，產業資本支出競賽升溫。
不過，長鑫在高頻寬記憶體（HBM）等先進產品領域仍落後三星、SK海力士及美光。HBM是AI伺服器與輝達加速器的重要零組件，技術門檻、製程能力及客戶認證均高於一般DRAM，長鑫短期內仍難撼動韓美大廠在高階市場的地位。
美國出口管制也是長鑫擴張的主要限制。相關措施阻礙公司取得部分最先進晶片製造設備，並限制接觸美國客戶，使長鑫縮小技術差距的難度增加。美國國防部也已把長鑫列入「中國軍事企業」名單，公司在公開說明書中警告，相關國家若進一步收緊限制，供應鏈可能面臨不穩定。
法人指出，長鑫IPO帶來的擴產疑慮，短線衝擊記憶體股投資情緒，但實際新增產能、產品良率及技術進展仍需時間驗證。台灣記憶體股近期漲幅已大，消息面觸發獲利了結後，股價波動也跟著放大。
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