南亞科攻AI推論市場 端客製化技術迎戰HBM

▲工研院今天舉行《半導體與AI算力永續競爭力論壇》。（圖／工研院提供）

記者高兆麟／台北報導

工研院今（21）日舉辦「半導體與AI算力永續競爭力論壇」，南亞科技資深副總經理暨永續長吳志祥表示，隨著AI發展重心逐步由雲端模型訓練轉向地端推論，高頻寬記憶體（HBM）已非所有AI應用的最佳選擇，南亞科正積極布局客製化UWIO DRAM及3D IC堆疊技術，並規劃泰山新晶圓廠明年投產，以搶攻AI PC、智慧手機及邊緣運算帶動的新一波記憶體需求。

吳志祥指出，HBM雖然仍是大型AI模型訓練不可或缺的關鍵元件，但進入AI推論時代後，終端裝置大量即時運算與KV Cache需求，讓記憶體頻寬、功耗及成本成為更重要的考量。由於HBM功耗較高、I/O數量受限，因此在重視低功耗與快速反應的AI PC、手機及攜帶式裝置上並非最佳方案。

為此，南亞科正開發客製化UWIO DRAM，並結合Wafer-on-Wafer（WoW）等3D IC堆疊技術，將DRAM直接與CPU或ASIC邏輯晶片整合，可望將記憶體頻寬提升5至10倍，同時把單位位元傳輸能耗降至HBM的三分之一至十分之一，提供更符合地端AI推論需求的解決方案。

南亞科也看好AI裝置帶動記憶體容量快速提升。以AI PC為例，單機DRAM容量已由16GB提升至128GB，在全球出貨規模擴大的帶動下，將推升DRAM需求持續成長。為因應市場需求，公司除持續推進16奈米（1B）產品外，也同步開發1C、1D及1E等新世代製程。

產能布局方面，南亞科泰山新晶圓廠總投資金額上看5,000億元，將導入EUV極紫外光設備，預計明年開出新產能，資本支出也可望突破2,000億元，進一步提升先進DRAM製造能力。

除了擴產，南亞科也同步推動節能減碳。吳志祥表示，公司透過製程微縮持續降低產品功耗，其中1C製程相較1A可降低約34%功耗；工廠端則全面導入尾氣處理設備及智慧能源管理系統，溫室氣體削減效率達94%，並透過ISO 50001能源管理系統，持續維持每年約8%至9%的節電成效。