聯電發行40億CB競價拍賣 8月19日開始投標、底價100元

▲聯電。（圖／記者高兆麟攝）

記者高兆麟／台北報導

晶圓代工大廠聯電（2303）發行國內第二次無擔保轉換公司債（23032），由宏遠證券主辦發行，總面額為新台幣40億元，競拍底標價為100元，最低投標單位為1張，每一投標單最高投標數量不超過3,400張，單一投標人最高得標張數合計不超過3,400張，預計於本週三（8/19）上午9時至下午2時，於交易所「承銷有價證券競價拍賣系統」網站開始投標。投標期間為115年8月19日、115年8月20日及115年8月21日三個營業日，並預計於115年9月3日於櫃檯買賣中心掛牌。 

聯電本次轉換公司債每張發行面額10萬元整，共計發行40,000張，依法保留承銷總數15%共6,000張由承銷團自行認購，其餘34,000張採競價拍賣方式辦理公開銷售。此次聯電二(23032)轉換溢價率為104.98%，轉換價格訂為130.70元，發行期間為五年，於發行滿三年及到期時可執行賣回。

聯電近年專注於特殊製程技術創新與差異化技術平台經營，其產品與技術服務已廣泛應用於行動通訊、車用電子、物聯網及高效能運算等領域。透過嚴謹的品質管理與全球產能布局，聯電服務網絡已遍及全球主要半導體市場，並長期深耕北美、歐洲及亞太地區，持續擴大與全球關鍵客戶的合作深度與服務範圍。

聯電整體經營績效與獲利表現穩健，技術發展深化22/28奈米與12奈米等技術布局。115年第二季晶圓出貨量較上季成長10.6%，受惠於通訊及消費性電子的強勁需求，進一步推升產能利用率至85%。其中，22/28奈米製程營收續創歷史新高，22奈米銷售佔第二季整體營收達17.5%；115年第二季每股盈餘達新台幣3.39元；115年上半年度每股盈餘達4.68元。

此外，公司與英特爾（Intel）共同開發12奈米FinFET製程，規劃於明年在英特爾美國亞利桑那州廠房試產；同時，聯電持續推進新加坡廠區（Fab 12i P4）及台南廠區（Fab 12A P7/P8）擴建投資，進一步完善多元產能布局，以協助客戶分散地緣政治風險並強化供應鏈韌性。在矽光子布局方面，公司於115年7月已將首批12吋矽光子量產晶圓交付予客戶，展現12吋矽光子量產製造能力的重要里程碑，未來將推出可供更多客戶導入之矽光子平台。