HBM需求爆衝擊產業 聯發科恐成首波受害者、LPDDR5X交期飆至39週

▲聯發科。(圖/記者廖婕妤攝)

▲聯發科。(圖/資料照)

記者高兆麟/台北報導

全球AI浪潮推升高頻寬記憶體(HBM)需求,正持續在半導體產業鏈掀起「外溢效應」。根據外媒《wccftech》報導,這股HBM熱潮正導致晶圓代工產能吃緊,不僅擠壓智慧手機用SoC常見的DRAM產能(如DDR5、LPDDR5X),也讓交期大幅延長,聯發科(2454)可能成為首批受波及的大型SoC設計公司。

報導指出,目前LPDDR5X的交貨週期已從原先的短期拉長至26至39週,代表現在下單最快也要等到2026年年中才能出貨。

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HBM的高需求正從兩個層面衝擊智慧型手機晶片供應:一是擠壓DDR5產能,導致交期明顯延長;二是HBM晶片本身晶粒面積比一般DRAM大出35%至45%,進一步壓縮可用晶圓投片空間,使整體產能更緊俏。

業界分析,這對聯發科財報將產生實質壓力。特別是該公司正準備導入台積電2奈米製程,而根據市場傳出訊息,每片2奈米晶圓報價高達3萬美元,成本負擔相當沉重。預估2025年第四季起,聯發科毛利率將面臨明顯下滑,若原物料與代工成本持續攀升,調漲晶片售價恐成唯一選項。

相較之下,高通(Qualcomm)產品原本定價較高,具備吸收部分成本壓力的空間,因此受衝擊程度預期較小。

報導也指出,聯發科與高通目前短期內不太可能轉向三星晶圓代工(Samsung Foundry),因為雙方2026年產品的設計已完成定版(tape-out)。因此,三星的2奈米GAA製程預料要到2027年才會迎來顯著的新訂單。

值得注意的是,記憶體價格上漲已開始影響智慧手機品牌端。日前,小米總裁就曾公開提及,記憶體成本攀升是Redmi K90系列價格調漲的主因之一,顯示AI應用帶來的成本壓力正逐步滲透至終端市場。

關鍵字: 聯發科

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