化合物半導體「黑科技」氮化鎵（GaN），因其擁有高功率、高密度，可大幅縮小產品體積。工研院今（27）日宣佈，攜手英商牛津儀器簽署研究計劃共同合作，希望鏈結雙方研發能量，成功建構臺灣化合物半導體產業鏈發展，搶攻全球市場，工研院指出，氮化鎵在高頻、高溫與高電壓的環境下，仍有極佳效能，在 5G／6G、綠能與電動車市場驅動下，將大幅推升化合物半導體在消費性電子產品與相關產業鏈產值，成為下世代半導體產業新星。
2021-09-27 18:13
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