▲環球晶圓與朋程科技共同參加國際光電大展，展現化合物半導體尖端研發成果。（圖／公司提供）
記者蕭文康／台北報導
「第31屆國際光電大展」昨開展，環球晶圓與母公司中美矽晶集團旗下轉投資事業朋程科技共同參展，各自推出化合物半導體的最新成果。其中，環球晶圓聚焦於8吋碳化矽（SiC）晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片的超薄加工能力，以及在氮化鎵（GaN）磊晶領域等具高附加價值的利基產品，展現其深耕化合物半導體產業多年的技術優勢。
碳化矽晶體因需於極高溫的密閉環境下生長，長晶爐的熱場設計及坩堝材質等因素增加了設備和操作的複雜性。環球晶圓自主設計開發碳化矽專用的長晶爐，在實現更高的材料品質控制的同時進一步降低長晶成本。藉由卓越的技術控制、生產效率和持續的研究開發，環球晶圓克服碳化矽長晶的技術困難，將碳化矽（SiC）長晶成功推進至8吋，為客戶提供高品質、高性能的碳化矽材料。
碳化矽高硬度與高脆性使得後續晶圓加工過程非常困難。奠基於晶圓加工的先進技術，環球晶圓以更高的製程精度與更有效的晶圓處理方法成功實現碳化矽晶圓的超薄加工，於展場推出6吋90µm 及8吋350µm碳化矽超薄拋光晶圓。超薄碳化矽晶圓在輕量化、散熱性能、熱傳導、高頻率操作、元件微型化和材料成本等方面具有優勢，是高性能半導體元件的理想選擇。環球晶圓的碳化矽晶圓包含4~6吋半絕緣晶片與6~8吋導電型碳化矽晶片，全方位產品可以滿足客戶多樣化需求，多領域的應用擴展。
氮化鎵異質磊晶存在諸多技術困難，例如晶格不匹配、應力和缺陷等問題，環球晶圓專注研發，成功推出全系列氮化鎵異質磊晶產品，包括矽基板、碳化矽基板和藍寶石基板等。多樣的基板選擇可以滿足不同的需求，全方位拓展終端應用。
朋程科技此次展出包含：碳化矽(SiC) 功率模組 、IGBT功率模組、SiC MOSFET Discrete、SiC Diode Discrete、Si IGBT Discrete及功率元件晶圓等。朋程在原有燃油車發電機二極體市佔率第一，深耕燃油車發電機之技術優勢，未來在全球節能減碳趨勢下，電動車將取代燃油車，碳化矽(SiC)功率模組、IGBT功率模組將成為未來功率模組市場成長主力，朋程此次展出主打碳化矽(SiC) 功率模組 及IGBT功率模組。
朋程從燃油車發電機二極體供應商角色朝向提升附加價值的化合物半導體之功率模組發展，積極研發與生產車用及工業用功率元件，除布局SiC IGBT模組外，亦積極研發功率元件晶圓。新能源車快速發展，朋程正積極轉型產品結構。針對電動車關鍵零組件SiC模組，朋程朝SiC的IDM廠邁進，掌握IC設計、晶圓代工、封裝的一條龍生產。
環球晶圓擁有豐富的半導體基板技術，朋程科技在汽車用半導體零件領域發展多年。憑藉各自的產業經驗，雙方得以充分發揮優勢，為電動車市場提供更先進、高性能的解決方案，以滿足迅速成長的電動車市場。
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