中國半導體突破8奈米？ 科技專家：小心歪成「陶朱隱園」

▲中芯國際上海總公司。（圖／CFP）

記者陳瑩欣／台北報導

中國工信部日前公布重大技術裝備推廣應用指導目錄，透露半導體晶片製程攻破8奈米，引發各界熱議，科技專家許美華曝「老台積人」分享「重複曝光」的概念，許美華並指出，中國理論上雖可能做得出來，但「技術實力」是否已到位仍待確認，相關專家直言，用重複曝光的對準誤差值估算後，8奈米晶片都長成「陶朱隱園」了，不用瞎忙測試都知道良率是零。

以下是許美華授權《ETtoday新聞雲》刊載全文：

以下這個，歡迎「內行看門道，外行看熱鬧」！
昨天才發文說，如果報導內文是用光刻機（Ｘ）而不是曝光機（〇），可以直接跳過不用理；但是，老台積人Albert Cheng講重複曝光，實在太傳神、太好笑了，不分享不行。
故事背景是這樣：

曾經是老台積人，後來轉任中芯獨立董事、英特爾顧問的楊光磊最近受訪，被主持人岑永康問到中國工信部宣稱自製國產光刻機（Ｘ），製程已經可以做到8奈米（其實應該是65奈米），他回答說：「沒道理做不出來」。

「至於用乾式的氟化氬光刻機，楊光磊說，該光刻機雷射波長193奈米，要製作出8奈米的技術，絕對是可能的，因為193奈米不斷除以2就會接近8奈米，所以技術上絕對可行，但良率與功能仍要抱持存疑態度。」

這裡楊光磊說的，不斷除以2，就是大家常聽到的晶片製造「重複曝光」的過程。

臉友Albert用「陶朱隱園」做例子，解說這個不斷除以2的結果（後果），快笑4我:

「照這樣說，從65nm拆pattern微縮到8nm，每層要重覆曝光三次且相對應薄膜、蝕刻的etch stop也要做三次，如果每次對準誤差（overlay)+-8nm，需要八十幾層堆疊做好的八奈米晶片都長成「陶朱隱園」了，不用瞎忙測試就知道良率是「零」嘿

「再說下去，8奈米繼續再除以2兩次就是2奈米，用ArF-193nm 波長 dry DUV（相當於ASML XT-1450,2006)做出2奈米晶片，技術上也可行？⋯⋯這簡直可以得到兩個諾貝爾獎！」

看到這裡，就算是半導體路人小白，應該也有略懂略懂的感覺吧？！

Albert說，他不是針對對楊博士，單純是分享自己幾十年親身經驗。Albert希望我寫含蓄一點，不然「學長會打我」

我去聽了楊光磊的受訪內容，覺得曾經是台積研發處長的楊博士，講話實在太客氣了。
他受訪說「沒道理做不出來」、「技術上可行」，很像老外常說的，theoretically（理論上）可行，其實，通常說這話的真正意思是，實務上的結果，就是不行；楊博士大概是上節目，不想把話說太絕。（鼓勵繼續加油跳火坑⋯

Btw，剛退役的Albert，師承浸潤式微影技術前輩林本堅，一輩子都在黃光領域，台積電重複曝光的專利就有他，很多年輕工程師都上過他的課。

強者我臉友。

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