▲力積電。（圖／翻攝自google map）
記者高兆麟／台北報導
晶圓代工廠力積電（6770）今日舉行法說會並公布2025年第三季財報，單季營收達新台幣118.4億元，季增5%，主要受惠記憶體產品出貨量增加；毛損為7.7億元，較第二季減少2.5億元，毛利率提升至-7%。受惠於跌價損失回沖及匯損減少，第三季淨損縮小至27.3億元，虧損率降至23%，較上季改善6億元，每股稅後虧損也從Q2的0.8元，收斂致虧損0.65元。
力積電指出，AI帶動的高階記憶體需求依然供不應求，特別是以HBM（高頻寬記憶體）為核心的AI應用持續熱絡。由於晶圓廠產能優先轉向HBM等高價值產品，利基型DRAM產能明顯被排擠，價格維持上行。SLC NAND Flash受惠於韓系大廠減產策略，價格自第三季起回溫；NOR Flash則因AIoT（人工智慧物聯網）應用增長，需求明顯走強，市場報價同步上揚。
力積電表示，第三季市場價格上漲與缺貨氛圍明顯，客戶投片意願轉趨積極，預期第四季投片量與產品價格將延續成長。公司研判，記憶體市場供需緊俏的情況有望延續至2026年上半年。
在邏輯代工市場方面，力積電觀察，IT與消費電子需求仍偏保守，中國「十一長假」後面板廠普遍控產，產能利用率下降約5%至10%。手機市場呈現兩極化，高階新機刺激需求，但中低階買氣仍偏弱。
此外，中國大陸與歐美市場的整體消費力道皆不如預期。「雙11」備貨動能明顯降溫，美國關稅不確定性與跨境電商免稅政策取消，也使年底假期購物預算預計下滑逾5%。汽車市場方面，全球銷量持平，但中國品牌持續擴張，歐美日系車廠銷量下滑，歐洲整體車廠產能利用率僅約55%，Bosch更在9月底宣布裁員1.3萬人，顯示產業重組壓力加劇。
儘管AI趨勢持續看俏，力積電提醒市場仍需留意四項外部風險，包括美國前總統川普關稅政策變數、地緣政治摩擦可能引發的轉單效應，以及AI記憶體供應鏈再度出現缺貨潮的風險。公司同時指出，隨著AI伺服器需求持續爆發，除HBM外，採用3D NAND技術、具成本優勢的HBF（High Bandwidth Flash）記憶體，也有望成為下一波AI伺服器儲存新焦點。
在技術佈局方面，力積電表示，已攜手多家國內外業者投入AI應用封裝技術開發，目前先進封裝產品佔第三季營收約2%。其中，Wafer-on-Wafer（WoW）3D堆疊技術已進入概念驗證階段，預計2026年下半年量產；中介層（Interposer）產品良率已達量產水準，後續將擴大投片，以滿足AI晶片高密度封裝需求。
此外，力積電在NOR Flash產品驗證已有進展，預期年底可望放量。公司也強調，電源管理IC與功率元件（MOS、IGBT、GaN）仍為邏輯代工主軸，尤其在AI伺服器與車用市場將持續發揮關鍵作用。
力積電總結，將以領先封裝技術與AI應用布局為雙軸發展方向，掌握新一輪結構性成長契機，同時以穩健策略因應傳統市場的周期波動。
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