DRAM今年成長39％ 明年估負成長

▲動態隨機存取儲存（DRAM）下半年傳出價格鬆動。（圖／資料照）

記者周康玉／台北報導

動態隨機存取儲存（DRAM）下半年傳出價格鬆動，但根據IC Insights最新報告指出，DRAM因價格這兩年（2017和2018年）的平均銷售價格強勁上揚，今年來成長達39％，但預估明年將會呈現負成長1%。

但值得注意的是，DRAM在這六年來起伏頗大，在IC市場中，時而年成長達第一名，時而又墊底，顯示此產業的不穩定性和週期性。

報告指出，因為2017年、2018年DRAM強勁成長，三星、SK海力士、美光等三大記憶體廠已擴大產能，減緩供需緊張，尤其是在高效能計算（HPC）記憶體方面。

此外，大型數據中心服務器（datacenter）的出貨量大幅增加，是近期DRAM市場激增的主要催化劑，然而因中美貿易的不確定性恐會影響到後續基礎建設的決策。

NAND Flash在去年也同樣具有高成長性，年成長達53%，其中，固態計算（Solid-state computing）是驅動高密度、高效能的關鍵。