▲總部位於安徽合肥的長鑫存儲，成立於2016年。（圖／翻攝自長鑫存儲官網）
大陸中心／台北報導
正對高頻寬記憶體（HBM）晶片攻關的中國記憶體大廠長鑫存儲，近日傳出已可量產HBM2記憶體。HBM2對於中國在先進AI和高性能計算（HPC）領域具有關鍵技術意義。長鑫存儲若能順利實現量產，將比原先估計的時間提前兩年左右，對中國的科技發展具有重大意義。
總部位於安徽合肥的長鑫存儲成立於2016年，專注於動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發、生產，是中國寄望在DRAM「趕超」的希望。美國《華盛頓郵報》先前報導，長鑫存儲也謀求開發高頻寬記憶體（HBM）晶片，這種記憶體也被應用於AI伺服器運算等高階用途，以提高記憶體堆疊和處理器之間的資料傳輸速度。
為此，長鑫採購製造HBM所需設備，外媒Tom’s Hardware曾報導指出，設備來源包括獲得出口許可的美國的應材（Applied Materials）和科林研發（Lam Research），但大概需要一至兩年時間才能實現量產。
與此同時，美光科技（Micron）、三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）已經開始量產更新的HBM3及HBM3E記憶體，並計劃在2026年投產第六代HBM產品HBM4。相較之下，長鑫存儲仍明顯落後於這三家公司。
這次傳出長鑫存儲研發出HBM2記憶體，雖然還未獲得證實，且良率狀況也不清楚，但仍意味中國在記憶體自主領域的一大突破，因為不僅在連接零組件的過程中相當複雜，更需要先進封裝技術。
此外，由於美國在本月可能公布一項出口管制計劃，將進一步限制美國盟友出口中國晶片，路透引述消息人士指出，大陸華為、百度等公司，正在市場積極蒐購三星電子生產的高頻寬記憶體（HBM）晶片，使得中國買家約占據三星HBM晶片營收的三成左右。
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