高階記憶體趨勢誰大咬機會財 AI點燃記憶體漲潮

ＡＩ應用遍地開花，國際大廠記憶體技術及產能競爭進入白熱化，台系記憶體廠搶搭漲價的順風車。

文／周佳蓉

記憶體產業在過去的景氣興衰如同一場季節性流感，圍繞著ＰＣ、智慧手機出貨與淡旺季波動起伏，影響著報價漲跌、庫存增減以及記憶體廠各自獲利表現，隨著ＡＩ模型、ＡＩ推論應用的遍地開花，資料中心建置以幾何級數的速度成長，輝達的AI GPU和伺服器成為了比黃金更稀缺的戰略資源，也讓記憶體這個曾經被視為標準化、周期性的電子產業，被賦予了新的意義。

HBM與SOCAMM成搶手貨

當記憶體這個產業進入ＡＩ賽道之後，國際大廠間的較量不再只是過去大家熟悉的DDR4或DDR5，而是HBM（高頻寬記憶體）與SOCAMM（System on CAMM）。

ＡＩ晶片霸主輝達（Nvidia）預計要在二六年推出的Rubin和Rubin CPX系列的ＡＩ伺服器機櫃，對記憶體的規格要求將再度提升，加上超微、其他發展ASIC晶片的ＣＳＰ業者，已經把ＨＢＭ剩餘產能到二六年之前全數包下，也導致DRAM市場產能持續緊縮，蔓延到舊世代DDR4、DDR3報價，自第三季起連袂上漲。

韓國記憶體大廠ＳＫ海力士在ＨＢＭ領域發展得最早，目前是輝達Blackwell平台HBM3e的主力供應商，而進入下一代HBM4之後，海力士實現了超過十Gbps運行速度，超過了JEDEC標準的八Gbps，也完成了十二層的HBM4晶片的量產準備，美光與三星則努力在後追趕差距。

說到ＨＢＭ，其實是將八～一二層超薄DRAM晶片垂直堆疊，必須透過矽穿孔（ＴＳＶ）技術，堆疊層數越高、良率衰減越嚴重，加上散熱難度高，當中牽涉著3D IC堆疊、先進封裝、Wafer-on-Wafer（WoW）製程，要擴充並非易事。台積電的CoWoS-L先進封裝技術，成功把ＨＢＭ緊密整合進運算架構中，因此傳出被視為關鍵元件的ＨＢＭ在二六年的產能已經全數售罄，由此可見，能在技術上先馳得點的廠商將持續保有競爭優勢。

海力士在HBM4保持領先

研究機構Counter Point預估，二六年即使受到同業競爭，海力士仍將有超過一半的ＨＢＭ市占，海力士也自行預測，二四～二八年每年ＨＢＭ業績將以五○％的速度成長。

SOCAMM主要支援中央處理器（ＣＰＵ），與垂直堆疊的ＨＢＭ不同，並在優化ＡＩ工作負載方面發揮關鍵支援作用，最快可望於Vera Rubin平台亮相。（全文未完）

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