美光收購力積電銅鑼廠 集邦：2027年全球DRAM供給有望上修

▲力積電銅鑼新廠啟用典禮。（圖／記者高兆麟攝）

記者高兆麟／台北報導

根據TrendForce最新DRAM產業調查，隨著美光計畫以18億美元收購力積電在台灣的銅鑼廠房(不含生產相關機器設備)，且雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關係，此合作案將有利美光增添先進製程DRAM產能，並提升力積電的成熟製程DRAM供應，預估2027年全球DRAM產業供給將有上修空間。

TrendForce表示，2025年下半開始，ASIC和AI推論分別帶動HBM3e、DDR5需求，並推升整體DRAM利潤率，促使美光加速擴充產能。本次收購力積電銅鑼廠包括土地及廠房、無塵室，預期美光將可在2026至2027年分批移入既有及新訂購的設備，以DRAM先進製程的前段設備為主，並於2027年投入量產。預估銅鑼一期在2027年下半年可貢獻的產能，將相當於美光 2026年第四季全球產能的10%以上。

據TrendForce統計，2025年第三季美光在全球DRAM產業的營收市占率為25.7%，排名第三。2024年起AI帶動HBM、DDR5、LPDDR5X等先進製程DRAM產品需求，美光除了持續執行美國ID1、新加坡HBM後段產能建設，便已積極向外收購廠房，以縮短產能建置時程。在銅鑼廠之前，美光在台灣已收購友達台南廠2座、AUO Crystal在台中的廠房，以及Glorytek的台中廠房，作為wafer probe(晶圓測試)、metallization (金屬化)、HBM TSV等各項用途。美光亦規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用於DRAM metallization。

觀察此次銅鑼廠收購案對力積電的意義：其現有DRAM產能主要採用25nm、38nm製程，因此其DDR4產線暫時止步於容量較小的產品。近日力積電與美光簽署合作意向書後，預計未來一年內將獲得美光授權1Y nm製程，後續並有機會再取得1Z nm製程授權，可支持其提升DDR4產品容量。此舉將有利力積電保持在consumer DRAM市場的製程競爭力，同時擴大位元產出，又不與美光的先進產品線互相競爭。