▲記憶體廠華邦電第1季稅後淨利3.97億元,為14季來新高,同時,看好今年DRAM及NOR Flash市場需求,今年資本支出將達106億元,較去年大增逾4倍,外資也同步看好積極買超。
記者林潔玲/台北報導
記憶體廠華邦電(2344) 公布2014年第一季合併財務報告,第1季稅後淨利3.97億元,為14季來新高,而每股純益為0.1元,仍低於市場預期,但在外資力挺之下,今(30)日開盤攻上漲停,雖盤中打開漲停,但股價在早盤最高達9.07元,同時,其權證市場中也有標的進入漲停,其中最高漲幅為72.7%。
昨日華邦電登上外資買超前三名,買超張數有19,829張。主要是因為外資看好華邦電坐擁利基型DRAM需求勁揚,及物聯網商機湧現等二大營運優勢,同時也預估,今年每股盈餘將較去年成長13倍至0.8元,2015年再大增五成至1.21元,確定走出營運低潮。
因此,華邦電今日開盤股價衝進漲停,權證市場也相對強勢,而根據權證王APP資料顯示,目前連結華邦電的相關權證有43筆,其中今日早盤漲幅前3名依序為2R永豐、日盛39、BD富邦,其中2R永豐漲幅更超過72%,前10名皆上漲超過50%。至於成交量部分,則以元富C5交投最熱。
華邦電第一季合併營業收入含新唐科技等子公司約為87億5千1百萬元,較前一季增加5%;營業毛利率為26%,稅後純益約為新台幣3億9千7百萬元,每股純益為新台幣0.10元。看好今年DRAM及NOR Flash市場需求,今年資本支出將達106億元,較去年大增逾4倍。
而就記憶體事業群部份,華邦電今年第一季各產品線佔營收比例,利基型記憶體(Specialty DRAM)佔本季營收52%,營收較前一季增加6%,主因為網通、硬碟應用產品出貨增加,且產品均價隨著記憶體市況趨健康而小幅上揚。
至於行動記憶體(Mobile DRAM)則佔本季營收12%,營收較前一季增加17%,成長動能來自46nm產品營收貢獻以及512Mb及1Gb Low Power DDR1出貨增加。快閃記憶體(Flash Memory)佔本季營收36%,市場價格競爭狀況持續但已減緩,且較高密度產品需求增加,營收表現和前一季持平。
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