三星超車台積電？ 10奈米製程明年商業化

▲三星宣布10奈米製程將於明年商業化，意味在先進製程上將超車台積電。(圖／本報資料照片)

記者張煌仁／台北報導

全球三大晶圓代工廠在先進製程上的戰爭正式進入肉搏戰的狀態！韓國三星在17日宣布，率先領先業界運用10奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產SRAM（靜態隨機存取記憶體）。這樣意謂著三星10奈米製程技術已超車台積電，甚至連晶片龍頭英特爾（Intel）都只能看三星的車尾燈。對此，台積電近兩日的股價似乎沒有太大受到影響。台積電18日收盤股價為137元，小跌2元。而19日開盤又再重回138元價位，最高一度來到139元。

由於SRAM 速度比 DRAM 快，常被當作中央處理器（CPU）的快取記憶體，藉以提高CPU存取效率。而三星成功開發新世代SRAM，也代表其處理器製程工藝進階至10奈米的過程相當順利。其它，包括台積電與英特爾在SRAM 製程技術上，目前還分別停留在16與14奈米的製程上。

與14奈米SRAM相比，10奈米可將128MB記憶體單位儲存面積縮小37.5%，配合10奈米打造的處理器，不僅運算效能加快且佔用空間更小。三星希望明年底將10奈米完成商業化。而如果三星在10奈米上能在2017年初進入全面量產，將使三星爭搶處理器代工訂單佔得有利位置。

另外，三星還同時將平面NAND快閃記憶體製程技術從16奈米推進至14奈米，將可降低生產成本、改善營利率。東芝、美光目前還停留在15或16奈米製程階段，並認為這是平面NAND記憶體製程的極致，之後將朝3D堆疊發展。不過在三星做出突破後，或許平面NAND還有進一步延展的可能。

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