藉機展現超越台積電！ 拜登亞洲行首站訪三星工廠、看3奈米晶片

▲三星電子副會長李在鎔將陪同拜登視察京畿道平澤的半導體廠。（圖／路透社）

記者高兆麟／綜合報導

美國總統拜登將於今（20）日起對南韓進行為期3天的正式訪問，此次訪問將包括參觀三星電子（Samsung）的平澤工廠。據《韓聯社》報導，在訪問三星平澤工廠期間，三星副會長李在鎔親自率隊陪同。三星電子將會向拜登展示其尖端的半導體製造技術—商用環繞式柵極（Gate-All-Around，GAA）技術。

三星電子將會向拜登展示商用環繞式柵極技術，號稱可在5奈米節點提供超越現有FinFET工藝的電晶體密度，而FinFET是台積電在3奈米工藝上採用的技術。三星公司此前預計，基於GAA技術下設計的新一代3奈米半導體將在未來幾個月後大規模量產。

此外，以GAA技術為基礎，三星還將開發出第二代GAA技術，即3GAP（Gate-All-Around Plus），預計於2023年開始量產。

據三星電子一位相關人員表示，三星向拜登展示3nm晶片的舉動，意在強調其代工能力可以超過台積電（TSMC）。

據三星此前介紹，與現階段市場上使用的5奈米晶片制程相比，GAA技術允許晶片的尺寸縮小35%，同時性能提高30%、能耗降低50%。

三星還補充道，其2奈米的制程節點尚處於開發的早期階段，計畫將於2025年大規模生產。

綜合各家媒體報導，拜登韓國訪問首站的三星平澤工廠，是世界上最大的半導體工廠群。整個平澤園區面積298萬平方米，相當於400個足球場大小。其中平澤2號半導體工廠總建築面積12.89萬平方米，相當於16個足球場大小。

而三星正在建設的平澤3號工廠，占地70萬平方米，是2號工廠的 1.7 倍，建成後將成為全球單體最大的晶圓廠，單單這間工廠的投資額在240-400億美元。

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