▲英飛凌斥資8.3億美元收購GaN Systems。（圖／路透）
記者高兆麟／綜合報導
英飛凌科技（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與 GaN Systems 公司宣布兩家公司已簽署最終協議，英飛凌將以 8.3 億美元的價格收購 GaN Systems。GaN Systems 是開發基於氮化鎵的電源轉換解決方案的全球技術領導者，總部位於加拿大渥太華，擁有200多名員工。
英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 表示：「氮化鎵技術正在為支援低碳化所需的，更高能效及減碳的解決方案做好準備。GaN 技術導入行動充電、資料中心電源供應、住宅用太陽能逆變器和電動車車載充電器等應用正處於轉折點，這也讓市場更加蓬勃發展。基於優異的研發資源、對於應用的理解和客戶合作計畫，收購 GaN Systems 的計畫將大幅加速我們 的 GaN 發展路徑。依據我們的策略，此次的併購將透過掌握所有相關的電源技術 – 從矽、碳化矽到氮化鎵，進一步強化英飛凌在電源系統領域的領導地位。」
GaN Systems 執行長 Jim Witham 表示：「GaN Systems 團隊很高興與英飛凌合作，雙方優勢能互補加乘，為客戶提供高度差異化的產品。 憑藉我們在提供卓越解決方案方面的共同專長，我們將以最佳方式發揮 GaN 的潛力。 結合 GaN Systems 在晶圓代工方面的布局與英飛凌的內部製造能力，將可以實現最大的增長能力，以滿足 GaN 在我們廣泛目標市場中的加速應用。我為 GaN Systems 迄今為止所取得的成就感到非常自豪，並且也非常期待與英飛凌一起創造下一個篇章。英飛凌作為擁有廣泛技術能力的整合元件製造商，將能充分發揮我們的潛力。」
GaN 是一種寬能隙材料，透過更高的功率密度、更高的效率和更小的尺寸，特別是在更高的開關頻率下，為客戶提供價值。 這些特性可實現節能和更小的外形尺寸，使 GaN 適合廣泛的應用。 市場分析師預估，到 2027 年，用於功率應用的 GaN 營收將以 56% 的年複合成長率 (CAGR) 增長至約 20 億美元（來源：Yole，化合物半導體市場監測 - 模組 I ，2022年第四季）。
因此，GaN 正在成為功率半導體的關鍵材料，與矽和碳化矽並駕齊驅，並搭配新的拓撲結構，例如混合返馳式和多級實現。 2022 年 2 月，英飛淩宣佈投資超過 20 億歐元在馬來西亞居林 (Kulim) 新建一座前段工廠，加倍擴大寬能隙產能，鞏固其市場地位。 首批晶圓將於 2024 年下半年開始出貨，加入英飛凌在奧地利菲拉赫 (Villach) 既有寬能隙製造基地的陣容。
此次計畫將以全現金交易的方式收購 GaN Systems，資金將來自現有的流動資金。該交易須遵守慣例成交條件，包括主管機關的批准。
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