▲三星曝光3奈米晶片技術。(圖/路透)
記者高兆麟/綜合報導
根據外媒報導,將於明年推出第二代3奈米製程的三星電子,首次透露了技術水平,這也意味著其先進晶片製程即將實現商業化。
外媒報導指出,與目前的 4 奈米製程相比,新的 3 奈米製程將晶片性能提高了 20% 以上,業內觀察人士,這一水平威脅到競爭對手台積電。
據業內消息人士周一透露,這家韓國科技巨頭透露了其晶片 2023 年國際 VLSI 研討會的初步演示材料中的技術狀態。該研討會被稱為世界上最負盛名的半導體會議,將於下個月在日本舉行。
演示材料指出,第二代 3奈米製程的晶片比當前4奈米製程的晶片快22%,能效高 34%。此外,與上一代相比,晶片尺寸將減少21%。
新消息的發布意義重大,因為這是三星首次將其未來的晶片製造工藝與其主要的4奈米製程進行比較。此前,該公司在將其性能與下一代技術進行比較時,將其5奈米製程作為基準。三星在去年6月首次開始生產其第一代 3奈米晶片時,聲稱與5奈米製程相比,晶片性能提高了23%,晶片尺寸縮小了16%。
業內專家也評價三星的最新成就是其技術能力的重大進步,尤其是考慮到與台積電的競爭。台積電最近宣布,與5奈米製程晶片相比,其第二代3奈米製程晶片性能提高了18%,晶片功耗降低了32%。台積電的N5奈米製程一般被認為在技術上與三星的SF4奈米製程相似或更低。
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