▲英特爾全新製程路線。（圖／英特爾提供）
記者高兆麟／綜合報導
CPU大廠英特爾今日首次揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，並宣布一系列基礎創新，為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外，尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案。英特爾亦強調迅速轉往下一世代EUV工具的計畫，稱之為高數值孔徑（High NA）EUV，更有望獲得業界首款High NA EUV量產工具。
英特爾在新任CEO Pat Gelsinger的領導下，積極重返晶圓代工業務，Pat Gelsinger之前更投書政治新聞網，要美國把補助留給「把技術留在美國的廠商」，今日又發表全新製程技術，以及全新命名規則，更企圖在2025年趕上台積電和三星。
英特爾指出，產業早已意識到，目前以奈米為基礎的製程節點命名方式，並不符合自1997年起採用閘極長度為準的傳統。因此英特爾今日公布其製程節點全新的命名結構，創造清楚並具備一致性的架構，給予客戶更為精確的製程節點認知。而隨著英特爾成立Intel Foundry Services，這種重要性也更勝以往。執行長基辛格（Pat Gelsinger）表示，今天所揭曉的各種創新，不僅開展了英特爾的產品路線規劃，它們對於我們晶圓代工的客戶也相當重要。
英特爾技術專家們以新的節點命名方式，詳述下列未來製程與效能藍圖規劃，以及各節點所具備的創新技術：
•Intel 7：植基於FinFET（鰭式場效電晶體）最佳化，相較Intel 10nm SuperFin每瓦效能可提升大約10％～15％。Intel 7將會使用在2021年的Alder Lake用戶端產品，以及2022年第一季量產的Sapphire Rapids資料中心產品。
•Intel 4：全面使用極紫外光（EUV）微影技術，透過超短波長的光，印製極小的形狀。伴隨每瓦效能提升約20％，以及面積改進，Intel 4將於2022下半年準備量產，2023年開始出貨，client用戶端Meteor Lake和資料中心Granite Rapids將率先採用。
•Intel 3：進一步汲取FinFET最佳化優勢與提升EUV使用比例，以及更多的面積改進， Intel 3相較Intel 4約能夠提供18％的每瓦效能成長幅度。Intel 3將於2023下半年準備開始生產。
•Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia這2個突破性技術開創埃米（angstrom）時代。RibbonFET為英特爾環繞式閘極（Gate All Around）電晶體的實作成果，亦將是自2011年推出FinFET後，首次全新電晶體架構。此技術於較小的面積當中堆疊多個鰭片，於相同的驅動電流提供更快的電晶體開關速度。PowerVia為英特爾獨特、業界首次實作的背部供電，藉由移除晶圓正面供電所需迴路，以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A預計將於2024年逐步量產。英特爾也很高興公布Qualcomm將採用Intel 20A製程技術。
•2025與未來：Intel 20A之後，改良自RibbonFET的Intel 18A已進入開發階段，預計於2025年初問世，將為電晶體帶來另一次的重大性能提升。英特爾也正在定義、建立與佈署下一世代的EUV工具，稱之為高數值孔徑EUV，並有望獲得業界首套量產工具。英特爾正與ASML緊密合作，確保這項業界突破技術能夠成功超越當代EUV。
英特爾強調，公司擁有基礎製程創新的悠久歷史，推動產業前進並破除限制。在90奈米領銜轉換至應變矽，於45奈米採用高介電常數金屬閘極，於22奈米導入鰭式場效電晶體，Intel 20A將會是另外一個製程技術的分水嶺，提供2個突破性創新，RibbonFET和PowerVia。
英特爾表示，新的IDM 2.0策略，對於實現摩爾定律優勢而言，封裝變得越來越重要。英特爾也宣布AWS(亞馬遜)將是第一個採用IFS封裝解決方案的客戶。
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