▲聯電宣布將以54.3億入股頎邦。（圖／翻攝證交所直播）
記者高兆麟／綜合報導
晶圓代工大廠聯電（2303）今日召開重大訊息記者會，宣布將以54.3億入股封測廠頎邦，雙方將進行股份交換，其中聯電取得頎邦約9.09％股權，頎邦則將持有聯電約0.62％的股權。聯電指出，這次入股將可以讓雙方建立長期的策略合作關係。
聯電表示，頎邦將以公司新發行普通股61,107,841股，及宏誠創業投資股份有限公司所持有之本公司已發行普通股16,078,737股進行股份交換；交換後頎邦科技合計持有聯電股份占比為0.62%。
聯電也表示，雙方換發比例為，聯電一股換頎邦0.87股，換股完成後，聯電將持有頎邦9.09％的股權，頎邦則將持有聯電0.62％的股份。
聯電表示，雙方將在驅動IC領域密切合作，整合前、後段製程技術，往更高頻、更低功耗等方向邁進，共同提供面板業界一元化的解決方案。透過合作，雙方將共創雙贏的局面，對營收及獲利預期有正面助益。
聯電也表示，公司以先進製程技術提供晶圓製造服務，為IC產業各項應用產品生產晶片，並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案，以符合客戶的晶片設計需求，所提供方案橫跨14奈米到0.6微米之製程技術。頎邦的技術製程主要是聚焦於面板驅動IC封裝測試、覆晶凸塊製作及晶圓級晶片尺寸封測(WLCSP)，並持續投入扇出型系統級封裝(FOSiP)及覆晶系統型封裝(FCSiP)等相關高階先進封裝技術製程開發。
聯電為台灣最早經營面板驅動IC晶圓代工的廠商。聯電亦為成功使用28奈米高壓製程於AMOLED面板驅動IC之先行者，並已進階至22奈米。頎邦則是全球驅動IC封測代工領導者，產能、技術獨步全球。兩家公司將在驅動IC領域密切合作，整合前、後段製程技術，往更高頻、更低功耗等方向邁進，共同提供面板業界一元化的解決方案。
聯電近年積極投入開發化合物半導體氮化鎵(GaN)功率元件與射頻元件製程開發，鎖定市場商機為高效能電源功率元件及5G射頻元件。頎邦在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年，並已在此行業佔有舉足輕重之地位，服務項目包括覆晶凸塊(Bumping)、厚銅重佈線(RDL)及晶圓級晶片尺寸(WLCSP)封測，適用晶圓材質除了矽(Si)外，也已經開始量產於砷化鉀(GaAs)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物晶圓上。頎邦也正在致力開發覆晶系統級(FCSiP)、扇出型系統級(FOSiP)等先進封裝技術。聯電、頎邦分居產業供應鏈之上下游，兩家公司將在這些市場區塊通力合作。基於雙方多年來已在驅動IC的領域密切聯繫合作，雙方董事會決議以換股方式，相互取得對方股權，更進一步強化雙方長期策略合作關係。
三方同意依公司法第156條之3之規定進行股份交換，由頎邦增資發行普通股新股67,152,322股作為對價，以受讓聯電增資發行之普通股新股61,107,841股及宏誠創投所持有之聯電已發行普通股16,078,737股。換股比例為聯電每1股換發頎邦0.87股。
預計換股交易完成後，聯電及子公司宏誠創投將共同持有頎邦約9.09%股權，頎邦則將持有聯電約0.62%股權。
聯電總經理簡山傑表示：「聯華電子一向致力於以全球化佈局擴展營運規模、強化客戶競爭力及提升股東價值。面對半導體技術日趨精進，基於產業趨勢及市場共同性，聯電除了研發自有晶圓代工技術，也與策略夥伴攜手合作，結合雙方技術優勢，整合上下游供應鏈資源，提供客戶先進的製程技術方案及更完整的全方位服務。」
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