▲HBM3e面臨良率學習曲線、客戶驗證挑戰。（示意圖／工研院提供）
記者高兆麟／綜合報導
近期市場對於2025年HBM可能供過於求的擔憂加劇，而據TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由於明年廠商能否依照期望大量轉進HBM3e仍是未知數，加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現產能過剩態勢。
根據TrendForce最新調查，Samsung、SK hynix與Micron已分別於2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處於持續驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快，有望於今年底完成驗證。
市場傳出因部分DRAM供應商積極增加矽穿孔(Through-Silicon Via, TSV)製程產能，將造成2025出現供過於求與價格下滑的可能。根據兩家韓系DRAM廠商目前的TSV產能提升計畫，Samsung將從2024年底的單月120K至2025年底增加為單月170K，提升幅度超過40%，而SK hynix在同期的月產能提升比例預估為25%。但由於廠商產品尚未完全通過驗證，產能提升規劃是否能落實有待觀察。
吳雅婷表示，從過去HBM3與HBM3e世代的量產歷程來看，當時8hi產品的良率至少歷經兩個季度的學習曲線才達到穩定，有鑑於此，當市場需求快速轉向HBM3e 12hi產品時，推測學習曲線也無法明顯縮短。此外，NVIDIA B200、GB200和AMD MI325、MI350都將採用HBM3e 12hi，由於整機造價高昂，對HBM的穩定度要求將更嚴苛，成為HBM3e 12hi量產過程的一項變數。
TrendForce預估，受AI平台積極搭載新世代HBM產品帶動，2025年的HBM需求位元將有逾80%落在HBM3e世代產品上，其中12hi的占比將超過一半，成為明年下半年AI主要競爭廠商爭相下訂的主流產品，其次則是8hi。因此，即便出現供過於求情況，推測最有可能發生在HBM2e、HBM3等舊世代產品上，至於對各DRAM供應商的影響程度，將取決於各家的產品組合。
目前TrendForce對DRAM產業展望維持不變，預估2025年HBM將可貢獻10%的DRAM總位元產出，較2024年成長一倍。由於HBM平均單價高，估計對DRAM產業總市值的貢獻度將突破30%。
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