▲旺宏總經理盧志遠。（圖／旺宏提供）
記者高兆麟／台北報導
被譽為「華人諾貝爾獎」的「未來科學大獎」近日公布2025年得獎名單，旺宏電子總經理盧志遠因在推進非揮發性半導體存儲技術方面的創新和領導地位，榮獲「未來科學大獎」之「數學與計算機科學獎」殊榮，這項榮耀不僅肯定了他對半導體技術的卓越貢獻，更彰顯了旺宏電子在國際研發舞台上的堅強實力。
「未來科學大獎」是由大中華區科學家和企業家共同創立的民間科學大獎，每個獎項獎金為100萬美元，表揚國際間具有重大影響力、展現科學原創精神與長遠價值的傑出科學家。盧志遠長年帶領旺宏電子研發團隊，成功開創並完善多項突破性技術，發明並主導了新一代非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory, NVM）技術研發，包括：高密度4-bit-per-cell記憶體晶片，微縮至深度奈米的BE-SONOS元件、三維垂直閘極(3D Vertical Gate) 結構的NVM、具備晶片內自我修復功能的高可靠度記憶體，以及打造超高速、超高容量的3D記憶體解決方案，與結合AI運算邁向「存算一體」的高規格記憶體前瞻需求，以應用於人工智慧、行動裝置、雲端運算與邊緣運算等領域。
對於獲此榮耀，盧志遠強調，這份殊榮不僅是對他身為科學家長期深耕半導體領域的嘉勉，更是對旺宏電子研發團隊實力的高度肯定。尤其，他要特別感謝旺宏董事長吳敏求多年來堅持研發自有技術，全力支持研發團隊，讓旺宏能在穩健的道路上持續邁進，為半導體領域的卓越創新和發展做出貢獻。至於百萬美元的獎金，他表示將捐助學術研究機構，以協助開發前瞻半導體技術，並且擬設置獎學金，鼓勵更多優秀的年輕學子投身於科學研究。
盧志遠1977年於美國哥倫比亞大學獲得物理博士學位，先後任教於國立陽明交通大學，並參贊行政院科技顧問組等。1984年受聘至美國AT&T貝爾實驗室領導研究計畫多年，在加入旺宏電子之前，盧志遠於1989年受邀自美返台出任工研院電子所副所長，之後負責主持台灣最大科專計畫─經濟部次微米計畫，完成台灣DRAM獨立研發及量產技術，不但讓台灣具備八吋晶圓產製能力，更成功將台灣推向世界高科技舞台。次微米計畫於1994年衍生成立世界先進公司，盧志遠為世界先進共同創辦人及副總經理，之後於1998年升任為總經理，成為催化台灣DRAM產業的重要推手。他並於1999年創立晶圓測試公司欣銓科技，目前他也是欣銓科技董事長。
盧志遠博士已發表超過600篇學術及技術論文，更擁有160餘項國際專利。他並獲任電機電子工程師學會（IEEE）及美國物理學會院士，也膺選中華民國科技管理學會院士。盧志遠先生擔任IEEE電子元件期刊編輯長達15年，並獲頒2012 IEEE Frederik Philips Award、IEEE千禧傑出獎章、行政院傑出科學與技術人才獎、潘文淵文教基金會研究傑出獎、中華民國物理學會特殊貢獻獎、經濟部及中華民國全國商業總會頒予最佳商人之金商獎、台大傑出校友、陽明交大名譽博士、工研院院士、總統科學獎、世界科學院（TWAS）工程科學獎及其院士、中華民國科技管理學會之科技管理獎、美國國家發明家學院院士、中央研究院院士、中國材料科學學會材料科技貢獻獎及應用物理界榮譽大獎美國物理學會(APS) George E. Pake Prize等國內外重要獎項。
未來科學大獎創立於2016年，共設立「數學與計算機科學獎」、「生命科學獎」與「物質科學獎」三大獎項，由國際優秀科學家組成科學委員會專業評審，旨在獎勵在大陸、香港、澳門、台灣取得傑出科學成果的科學家，以創新模式帶動更多民間資金推動基礎科學研究，促進科學事業發展。台灣曾獲獎者包括台積電前研發副總經理林本堅及陽明交通大學終身講座教授施敏。
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