輝達認證！外媒曝三星HBM3E達標 力拼搶進下一代市場

▲三星電子。（圖／路透）

記者陳瑩欣／綜合報導

高階記憶體賽道出現變化，韓媒報導指出，三星第五代 12 層高頻寬記憶體 HBM3E 產品終於通過 NVIDIA品質認證測試，預計不久後開始供應高階記憶體晶片，這一進展預計將大幅縮小三星與領先企業之間在下一代HBM4競爭中的差距。

《BusinessKorea》指出，目前具備向NVIDIA供應HBM能力的三家公司——SK海力士、三星電子與Micron——之間的市場競爭預計將更加激烈。若三星電子與美光能在NVIDIA的HBM供應鏈中取得具代表性的市占，將可能直接帶動業績的提升。

自今年以來，記憶體產業的重心已從通用型DRAM轉移至HBM，形成一個全新的競爭格局。今年上半年，SK海力士幾乎壟斷了輝達HBM供應鏈，首次登上全球記憶體產業的頂峰。

三星電子在通過NVIDIA的品質測試後，預計即將開始供應HBM3E 12層晶片。這距離三星於去年2月完成HBM3E 12層的開發已有一年半之久。

目前，三星電子已順利向美國半導體設計公司超微（AMD）與博通（Broadcom）供應HBM3E 12層晶片。後續對輝達供貨仍有待觀察，過去在HBM競爭中相對落後的三星電子，是否能透過進入NVIDIA供應鏈取得具意義的市占率，從而展現截然不同的市場表現。

對於此次通過NVIDIA品質測試一事，三星電子相關人士表示：「我們無法確認與客戶相關的任何資訊。」