聯電、新思擴大戰略合作發展14奈米

記者高振誠／新竹報導

聯電(2303)與新思擴大戰略合作，衝刺14奈米先進製程技術，聯電表示，未來新思將會在聯電14奈米第2個PQV測試晶片上，納入DesignWare嵌入式記憶體IP及DesignWare STAR記憶體系統測試修復方案，未來將可提供更多矽資料，進一步微調14奈米FinFET製程。

新思科技IP暨原型建造行銷副總裁John Koeter指出：「新思科技與聯電擴展的合作關係展現了雙方共同的目標，也就是協助晶片設計公司在聯電製程上，將我們的DesignWare矽智財結合到其系統單晶片設計上」。

John Koeter透露，目前已有超過45顆FinFET測試晶片設計定案(tapeout)，新思將持續為FinFET製程提供高品質矽智財，使晶片設計公司能夠降低整合風險，並加速量產時程。

聯電矽智財研發暨設計支援副總王國雍表示：「聯電現目前正致力建構相當完整全方位支援架構，藉此加速14奈米客戶design-in的速度。王國雍表示，聯電最先進的製程與新思科技優質的DesignWare矽智財繼續拓展合作，期盼這份夥伴關係所帶來的好處，可提供給雙方客戶獲得功耗，效能與成本上的優勢。

據了解，雙方已成功設計定案第一個14奈米FinFET製程PQV，其中包含新思DesignWare邏輯庫與StarRC寄生電路抽取工具(parasitic extraction tool)，這次合作也被雙方視為夥伴關係的延續。

而相關消息也反映在股價上，聯電今天開高走高，尾盤收在13.15元；在權證市場，認購狀況相當熱絡，建議想參與行情可選距到期日天數較長的進行布局。