力旺攜手聯電推ReRAM矽智財 已通過聯電40奈米認證

▲力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財。（示意圖／取自力旺官網）

記者高兆麟／綜合報導

矽智財供應商力旺電子(3529)與晶圓大廠聯電(2303)今日宣布，力旺電子的可變電阻式記憶體（ReRAM）矽智財已成功通過聯電40奈米認證，支援消費性與工業規格之應用。

力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功，顯示力旺在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位外，也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成。此次與聯電的合作，不但使力旺成為全球首批提供這種新興記憶體矽智財的公司之一，並攜手聯電為 MCU、PMIC 和 AIoT市場提供更全面的解決方案。

力旺技術長暨第二事業群總經理林慶源表示：「力旺的ReRAM矽智財目前已於聯電40奈米成功驗證，並繼續將ReRAM的開發延伸至22奈米與更先進製程，方便未來晶片設計者將力旺的ReRAM矽智財整合到產品中。」

「ReRAM矽智財於聯電 40nm 1.1V/2.5V 超低功耗 (ULP) 製程的開發以及向下 延伸至22nm ULP製程計劃，成功展現兩家公司對新興記憶體產品未來發展性的信心。」聯電矽智財研發暨設計支援處林子惠處長表示：「與力旺的合作有助於進一步豐富我們的特殊製程技術組合，我們預計ReRAM矽智財將可以成功打入重要的新市場。」

ReRAM 是一種新興的非揮發記憶體 (NVM) 技術，具有結構簡單、容易在晶圓代工廠生產並整合至CMOS平台以及滿足高速低功耗運作等諸多優點。力旺的ReRAM可為微控制器和電源管理IC提供代碼儲存(code storage)功能、為低功耗或便攜式物聯網設備中提供查找表(lookup table)，並進一步應用於記憶體內運算（CIM）與人工智慧(AI)等領域。

ReRAM預計將可取代目前在40奈米與更先進製程的傳統嵌入式快閃記憶體（eFlash），它同時也是BCD與HV等特殊製程的最佳嵌入式NVM解決方案。ReRAM具備許多優於分離閘快閃式記憶體(split-gate flash memory)的優勢，ReRAM 在後端流程中採用低溫製程，與分離閘快閃式記憶體相比，幾乎不需要熱積存(thermal budget)，並且更容易整合至各製程。

力旺與聯電攜手合作的此4Mb ReRAM矽智財技術係從日本松下半導體取得技術授權，具備16Kb資訊區塊、晶片修復、錯誤檢測和糾正等功能，並可支援高達125°C的工作溫度，不僅可用於消費性電子更適用於工業應用領域。