記憶體吹冷風！三巨頭下修今年資本支出 南亞科跟進

▲南亞科總部。（圖／資料照）

記者周康玉／台北報導

記憶體吹冷風，各大廠在DRAM的總資本支出約為180億美元，年減約10%，來到八年來最低點。記憶體三巨頭三星、SK-海力士、美光都下修資本支出，台廠則是南亞科最早宣布跟進，要大砍資本支出50%。

研調機構TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查指出，記憶體三巨頭都放緩投資計畫，包括三星和SK-海力士，市占第三名美光也下修今年資本支出，統計全球DRAM的資本支出總金額，預估將達180億美元，年減約10%，是八年來最保守。

三星終止平澤廠(Line18)擴產計畫，今年投資金額估80億美元，投資重點放在先進製程(1Ynm)，估位元年成長僅20%，歷年最低。

市占第二大的SK-海力士今年的DRAM投資金額也降低到約55億美元，今年位元成長約21%，稍微高過三星。

第三大記憶體廠美光則宣布下修2019年資本支出至約30億美元，元成長目標從原先的近20%下修至15%。

三巨大都下修資本支出，台廠南亞科也率先開出第一槍跟進下調腳步，日前於法說會宣布，今年資本支出將較去年大砍50%，將從去年度的210億元（6億美元）降至100億元（3億美元）。

南亞科總經理李培瑛指出，由於市況「急凍」，甚至無法確定第1季是否落底，但今年會努力挑戰「不虧損」。